Информатика 10-11. Книга 1. Теория (с задачами и решениями). Шауцукова Л.З. - 27 стр.

полуслово, двойное слово). Как правило, в одном машинном слове может быть
представлено либо одно целое число, либо одна команда. Однако, допускаются
переменные форматы представления информации. Разбиение памяти на слова для
четырехбайтовых компьютеров представлено в таблице:

          Байт 0 Байт 1 Байт 2 Байт 3 Байт 4 Байт 5 Байт 6 Байт 7
          ПОЛУСЛОВО ПОЛУСЛОВО ПОЛУСЛОВО ПОЛУСЛОВО
                     СЛОВО                          СЛОВО
                               ДВОЙНОЕ СЛОВО

   Широко используются и более крупные производные единицы объема памяти:
Килобайт, Мегабайт, Гигабайт, а также, в последнее время, Терабайт и Петабайт.

     Современные компьютеры имеют много разнообразных запоминающих устройств,
которые сильно отличаются между собой по назначению, временным характеристикам,
объёму хранимой информации и стоимости хранения одинакового объёма информации.
 Различают два основных вида памяти — внутреннюю и внешнюю.

      2.9. Какие устройства образуют внутреннюю память?
    В состав внутренней памяти входят оперативная память, кэш-память и
специальная память.

                           1. Оперативная память

Оперативная память (ОЗУ, англ. RAM, Random Access Memory — память с
произвольным доступом) — это быстрое запоминающее устройство не очень большого
объёма, непосредственно связанное с процессором и предназначенное для записи,
считывания и хранения выполняемых программ и данных, обрабатываемых этими
программами.


    Оперативная память используется только для временного хранения данных и
программ, так как, когда машина выключается, все, что находилось в ОЗУ,
пропадает. Доступ к элементам оперативной памяти прямой — это означает, что
каждый байт памяти имеет свой индивидуальный адрес.

    Объем ОЗУ обычно составляет от 32 до 512 Мбайт. Для несложных
административных задач бывает достаточно и 32 Мбайт ОЗУ, но сложные задачи
компьютерного дизайна могут потребовать от 512 Мбайт до 2 Гбайт ОЗУ.

    Обычно ОЗУ исполняется из интегральных микросхем памяти SDRAM
(синхронное динамическое ОЗУ). Каждый информационный бит в SDRAM запоминается
в виде электрического заряда крохотного конденсатора, образованного в структуре
полупроводникового кристалла. Из-за токов утечки такие конденсаторы быстро
разряжаются, и их периодически (примерно каждые 2 миллисекунды) подзаряжают
специальные устройства. Этот процесс называется регенерацией памяти (Refresh
Memory). Микросхемы SDRAM имеют ёмкость 16 — 256 Мбит и более. Они
устанавливаются в корпуса и собираются в модули памяти.