Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

0,47 2,3 3,7 1,6 0,075
0,68 2,3 5,0 1,6 0,1
0,01; 0,015
0,022; 0,033
0,047
0,1
0,15
1,9 3,4 1,2 0,05
0,22; 0,33 2,3 3,7 1,6 0,075
30
0,47 2,3 5,0 1,6 0,1
Рис. 2.1.21. Конструкции электролитических конденсаторов:
а – конденсаторы К53-15; б – конденсаторы К53-16
Конструкции пассивных элементов (резисторов, конденсаторов) и активных (пассивных) компонентов не
исчерпываются приведенными выше типами, типоразмерами и выходными параметрами. Спектр элементов и
компонентов постоянно расширяется, что следует иметь ввиду и не ограничиваться только приведенным рядом.
2.2. ХАРАКТЕРИСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИМС
При выборе конструкции ИМС уже необходимо определиться с типом технологического процесса. В
одних случаях конструкция выбирается исходя из имеющейся на предприятии технологии. Например, есть
участок тонкопленочных гибридных ИМС. В других случаях рассчитывают на изготовление ИМС в условиях
специализированного предприятия с освоенными техпроцессами изготовления полупроводниковых ИМС. В
любом из этих случаев должны быть известны основные технологические операции, возможный маршрут
изготовления.
В данном случае приведены несколько типовых технологических процессов ИМС на полупроводниковых
материалах, процессов изготовления гибридных ИМС.
2.2.1. Технологический маршрут изготовления ИМС
на биполярных транзисторах (изоляция p–n-переходами)
Планарно-эпитаксиальный процесс является наиболее употребительным, хорошо освоенным и используется
для изготовления интегральных полупроводниковых микросхем малой и средней степени интеграции. На рис.
2.2.1 приведена последовательность выполнения биполярного транзистора с изоляцией p–n-переходами.

Страницы