Составители:
Рубрика:
24
собственных носителей. Какая часть полного тока обусловлена
электронами?
40.Определить подвижность носителей заряда в кремниевом образце
толщиной 10 мкм, имеющем концентрацию электронов 10
18
м
-3
, если
при подаче на образец напряжения 5В через него протекает ток
плотностью 2 10
4
А/м
2
.
41.При температуре 300К концентрация ионизированных примесей
10
22
м
-3
. Найти положение уровня Ферми, приняв плотность
состояний у дна зоны проводимости равной 2,5 10
25
м
-3
.
42.В образец кремния вводится примесь n- типа с концентрацией 5,0
10
23
м
-3
. После этого концентрация неосновных носителей p
n
в нем
при температуре 300К равна 2,42 10
10
м
-3
. Определить концентрацию
собственных носителей
n
i
в кремнии при температуре 300К в
предположении, что все примеси ионизированы.
43. Считается, что полупроводниковый материал пригоден для
использования в приборе, если при рабочих температурах
концентрация собственных носителей n
i
< 1,1 10
20
м
-3
. Определить
максимальную
рабочую температуру приборов на галлия основе
арсенида галлия (GaAs), у которого ширина запрещенной зоны
равна 1,43 эВ, плотность состояний у дна зоны проводимости 4,7
10
23
м
-3
, а у потолка валентной зоны – 7,0 10
24
м
-3
. При этом можно
считать, что величины ширины запрещенной зоны и плотностей
состояний не зависят от температуры.
44.В слиток германия одновременно введены сурьма с
концентрацией 8,7 10
20
м
-3
и галлий с концентрацией 3,68 10
20
м
-3
.
Найти удельную проводимость слитка при условии, что все
примесные атомы ионизированы, а подвижность электронов u
n
=
0,36 м
2
/(В с); сурьма является донором, а галлий – акцептором.
45. Образец германия, имеющий при температуре 300К собственную
удельную проводимость 4,3 10
-4
Ом
-1
м
-1
, легирован донорной
примесью с концентрацией 1,0 10
21
м
-3
. Найти концентрацию дырок
p
n
. Определить, какая часть часть тока обусловлена дырками
j
p
/(j
p
+j
n
). Подвижности электронов и дырок при температуре 300К
принять равными u
n
= 0,135 м
2
/(В с) и u
p
= 0,048 м
2
/(В с).
46.В чистом германии концентрация собственных носителей при
температуре 300К равна 2,25 10
19
м
-3
. Подвижности электронов и
дырок при этой температуре соответственно равны u
n
= 0,4 м
2
/(В с) и
u
p
= 0,2 м
2
/(В с). Определить проводимость чистого германия и
германия с концентрацией акцепторов 4,5 10
21
м
-3
.
47.Определить коэффициент амбиполярной диффузии в кремнии
при температуре 300К, если концентрация электронов в Si равна 10
11
см
-3
, а подвижность носителей тока µ
n
=1500 cм
2
/(В с) и µ
p
= 500
см
2
/(В с). Собственная концентрация носителей n
i
= 10
10
см
-3
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
