Составители:
Рубрика:
некоторое время (τ ∼ e
E /kT
) под действием тепловых колебаний решетки
электрон может освободиться из ловушки и снова перейти в зону С, после
чего вновь будет захвачен ловушкой, либо встретится с активатором и
рекомбинирует с ним. При наличии ловушек период послесвечения может
составлять от 1 мкс до нескольких часов.
Обычно при фотолюминесценции послесвечение имеет меньшую
частоту, чем
возбуждающее излучение, поскольку часть энергии
поглощенного кванта передается кристаллу (ω` < ω, λ` > λ). Другими
словами: свет люминесценции сдвинут по отношению к возбуждающему
свету в красную сторону. Этот вывод носит название правила Стокса.
Энергетический выход или КПД люминесценции η − это отношение
излученной энергии к поглощенной энергии. Вавиловым было
установлено, что η растет пропорционально
длине волны λ
возбуждающего света, точнее η = λ /λ ` - закон Вавилова.
Кристаллофосфоры применяются в электронно-лучевых (в частности,
телевизионных) трубках, в люминесцентных лампах (лампах дневного
света), для изготовления светящихся экранов в рентгеновских установках,
в сцинтилляционных счетчиках заряженных частиц и для других целей.
5.3. Фотоэлектрические явления в р – n – переходе.
При освещении
р – n –перехода или прилегающих к нему областей
светом, вызывающим генерацию электронно-дырочных пар, через
переход потечет ток, называемый
первичным фототоком (Рис. 43).
Возникающие при этом в n – области дырки и в р– области электроны
являются неосновными носителями. Вследствие высокой концентрации
основных носителей ее возрастанием за счет неравновесных носителей
можно пренебречь.
На рисунке 43 показан диод, р– область которого освещается световым
потоком, вызывающим генерацию электронно-дырочных пар. Поскольку
свет поглощается в основном в узком
слое у поверхности, носители
диффундируют вглубь полупроводника. Если p-n –переход расположен на
глубине b < L = (D
эфф
τ)
1/2
= (D
n
τ)
1/2
, где L – диффузионная длина, то
значительная часть носителей дойдет до области объемного заряда
перехода. Возникшие при этом в р– области электроны и в n – области
дырки подхватываются в области перехода контактным полем и
перебрасываются в соседнюю область.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 75
- 76
- 77
- 78
- 79
- …
- следующая ›
- последняя »
