Составители:
16
()
2
ИП кэmax
н
max
.
2
UU
R
Р
∗
≈
−
=
Затем определяются следующие параметры трансформатора:
коэффициент трансформации
22 н
2
21
н
,
η
WR
n
W
R
∗
==
где W
22
, W
21
– число витков в первичной и вторичной обмотках;
индуктивность намагничивания трансформатора
н
Т2
н
;
2π
R
L
f
∗
>>
где f
н
– нижнее значение частоты сигнала;
активные сопротивления первичной и вторичной обмоток
()
()
н
21 н22
0,42 1 η
0,58 1 η ; .
η
R
rR r
∗
−
=−=
Сопротивление резисторов в эмиттерной цепи схемы, показанной
на рис. 1.3, может быть определено следующим образом:
()
ИП
э
к max
0,005...0,05
,
U
R
I
=
а сопротивление резистора, стоящего в цепи смещения:
ИП
см
кmax
β
,
U
R
I
=
где β – коэффициент передачи тока транзистора.
Диод VD (см. рис. 1.3) выбирается на ток I
б max
с прямым падением
напряжения, равным напряжению для точки пересечения входной ха-
рактеристики транзистора с осью абсцисс.
Требуемая амплитуда входного напряжения на стороне вторичной
обмотки входного трансформатора
бmax вх.б
бmax
U
IR=
,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »
