Составители:
47
(КТ817), которые имеют площадь основания (габаритная площадь) S
т
=
= 0,858 см
2
; P
кmax
= 5 Вт;
т
кт
0,5 С/ВтR
=
;
п.доп
150 СТ
=
;
с.в
60
С
Т
=
;
K
з
= 0,8;
т
пк
5 С/ВтR
=
; число параллельно включенных транзисторов
N = 2 и площадь основания плоского радиатора Q
тN
≈ 58 см
2
были
определены в предыдущем примере. Из рекомендаций, изложенных выше,
принимаем площадь основания ребристого радиатора Q
осн
= 30 см
2
.
Возможны два инженерных решения по конструированию радиатора:
размещение нескольких (в рассматриваемом случае двух) параллель-
но включаемых транзисторов на одном радиаторе;
размещение каждого из параллельно включаемых транзисторов на
отдельном радиаторе. При этом полученную площадь основания, так
же как и рассеиваемую мощность, следует разделить на число парал-
лельно включаемых транзисторов.
Рассмотрим оба варианта, чтобы были понятны их достоинства и
недостатки. В начале проведем расчет конструкции теплоотвода для
размещения двух транзисторов. Исходя из Q
осн
= 30 см
2
, зададимся раз-
мерами основания H = 6 см, D = 6 см и его толщиной d
2
= 3 мм.
Тепловой коэффициент проектируемого радиатора
()
()
зп.доп с.в
тт
рпккт
кmax
0,8 150 60
50,5 6,5C/Вт.
5
K ТТ
FRR
Р
−
⋅−
= −+= −+=
Поскольку транзисторы марки КТ816(КТ817) имеют основание в виде
прямоугольника, то для проведения дальнейших расчетов находим ра-
диус эквивалентной окружности
–3
т
экв
2 0,858
0,739 см 7,4 10 м.
π3,14
NS
rr
⋅
== = = =⋅
Затем определяем коэффициенты:
3
рр2
0
22 22
0
φ , 2 λ 2 6,5 170 3 10 6,63 ;
220,74
0,189.
65
r
Fd
L
rr
L
HD
−
γ= =⋅⋅⋅⋅=
⋅
===
++
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »
