Составители:
53
Нужно иметь в виду, что при параллельном соединении транзисто-
ров неизбежный разброс их характеристик может привести к существен-
но не одинаковому нагреву переходов транзисторов. В то же время оче-
видно, что параллельное соединение транзисторов выходного каскада
эффективно лишь тогда, когда ток нагрузки распределяется между па-
раллельно включенными приборами достаточно равномерно. Посколь-
ку разбраковка партии транзисторов на группы с одинаковыми характе-
ристиками, как правило, не проводится, то основным способом
обеспечения равномерного распределения токов (а значит, и рассеивае-
мых мощностей) является включение в эмиттерные цепи транзисторов
небольших одинаковых сопротивлений R
э1
= R
э1
= R
э3
= ... = R
эn
= R
э.ур
.
Величина уравнительных сопротивлений находится по формуле
доп
э.yp
max доп
λλ
1
λ1
ii
i
R
S
−
=⋅
−
, (2.14)
где S
max
– максимальное значение крутизны переходной характеристики
транзистора выбранного типа по постоянному току, которую удобно
находить через статический коэффициент усиления тока β и входное
сопротивление транзистора
max max б
max
вх бэ.нас
min
ββ
VT
i
S
RU
=
==
, (2.15)
здесь i
б
– ток базы, соответствующий значению U
бэ.нас
, которое приведено
в справочных данных для выбранного типа транзистора;
к max
к min
λ
i
I
I
=
– раз-
брос характеристик транзистора по току силовой цепи; здесь I
к min
и I
к
max
– значения минимального и максимального токов коллектора, взя-
тые из справочных данных для выбранного типа транзистора. При от-
сутствии в справочнике необходимой информации λ
i
задается в преде-
лах 1,5–2,0; λ
iдоп
– допустимая величина отношения токов параллельно
соединенных транзисторов.
Для определения λ
iдоп
следует задаться допустимым повышением тем-
пературы перехода
п.доп
5...20 C
Т
°
∆=
и определить относительное при-
ращение мощности рассеяния
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- …
- следующая ›
- последняя »
