Составители:
84
вх max
бэ.нас
з
э
н
.
U
i
U
U
K
R
I
−
≤
(3.26)
2. Условие ограничения тока базы транзистора допустимым значе-
нием следует из соотношения
вх max бэ э э
,
UUIR
=+
(3.27)
где I
э
= I
б
(β + 1).
Тогда из (3.27) получаем
()
вх max бэ.нас
бз з б.доп
э
,
β1
ii
UU
IK K I
R
−
=≤
+
(3.28)
где I
б.доп
– максимально допустимое значение тока базы (из паспортных
данных транзистора).
Из соотношения (3.28) следует ограничение на максимально допус-
тимое значение R
э
()
вх max бэ.нас
эз
б.доп
.
β1
i
UU
RK
I
−
≥
+
(3.29)
3. Условие требуемого входного сопротивления каскада получаем из
соотношения
()
бэ вх
вх вх.треб
бэвх
,
VT
VT
RR R
RR
RRR
+
=≥
++
(3.30)
где
вх max
вх.треб
б.доп
U
R
I
=−
входное сопротивление каскада;
бэ
вх
б
VT
U
R
I
=−
вход-
ное сопротивление транзистора, определяемое по входной характерис-
тике I
б
(U
бэ
) либо приближенно
бэ.нас
вх
б.нас
VT
U
R
I
=
.
Из соотношения (3.30) следует функциональная зависимость
R
б
= R
б
(R
э
)
()
эвх вх.треб
б
эвх вх.треб
.
VT
VT
RR R
R
RR R
+
≥
+−
(3.31)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 82
- 83
- 84
- 85
- 86
- …
- следующая ›
- последняя »
