ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
17
ряемой средой 4; C
3
– емкость между электродами 1, 2 внутри диэлектри-
ка 3; C
4
– емкость, обусловленная измеряемой средой 4.
Рис. 2.4. Составляющие емкости поверхностного датчика
Тогда эквивалентную схему датчика можно представить в виде после-
довательно соединенных емкостей C
1
, C
4
, C
2
, параллельно которым под-
соединен конденсатор C
3
(рис. 2.5).
Рис. 2.5. Эквивалентная схема поверхностного датчика
Обычно C
1
= C
2
. Емкость C
4
изменяется в зависимости от уровня топ-
лива. Чтобы уменьшить собственную емкость датчика нужно умень-
шать C
3
. Чтобы приращение ΔC стремилось к приращению ΔC
4
(макси-
мально возможная чувствительность датчика), необходимо увеличивать
емкости C
1
, C
2
. Для этого нужно увеличивать ширину электродов W
и уменьшать толщину изоляционного слоя b
1
= b
2
.
Емкость C
3
уменьшается при уменьшении общей толщины диэлектри-
ка (b
1
+ b
2
+ t) и увеличении зазора d между электродами.
Исследуемый поверхностный датчик построен по схеме рис. 2.3 с ши-
риной электродов W = 2 мм, расстоянием между ними d = 6 мм, толщиной
электродов t = 0,05 мм, толщиной изоляционного слоя между электродами
и жидкостью b
1
= b
2
= 1,5 мм. Ширина датчика 42 мм, толщина 3 мм.
В качестве материала использовался двухсторонний фольгированный
стеклотекстолит, а также стеклотекстолит СТЭФ (высоковольтный, высо-
кочастотный, tg = 0,0030,005, = 10
11
10
12
Омм), склеенные универ-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »
