Конструирование РЭС. Шляпников Н.С. - 117 стр.

UptoLike

Составители: 

Таблица 7.2
Материал
экрана
p-IO
6
Ом-
мм
Н
Материал покрытия
р-10
6
Ом-
мм
M
Cm 10 120 100 Се
р
еб
р
о 15 1
АМ
ц
30 1 Алюминий 26 1
Д16 47,6 1 Медь 17 1
АЛ4 46,8 1 Никель 68 59...530
АЛ9 45.7 1 Хром 130 1
МА2 120 1 Кадмий 74 1
ВТЗ 1360 1 Цинк 59 I
Л90 45 1 Олово 113 1
Л68 72 1 Золото 22,5 1
ЛЖС58-1-1 70 1 Палладий 108 1
Пример. Определить размеры электростатического экрана для функционального узла
на печатной плате с размерами 120 х 80 х 20 мм. Ослабление помехи на частоте 100 кГц не
менее 120 дБ.
Выберем зазоры между экраном и печатной платой согласно обозначениям на рис. 7.5:
XI = Х2 = Y2 = 5 мм, Y1 = 15 мм для установки разъема. Размеры экрана составят: ХЕ =
120 + 5 + 5 = 130 мм, YE = 80 + 5 + • +15= 100 мм, ZE = 20 + 5 + 5 = 30 мм, откуда R =
max{XE, YE, ZE} = 130 им.
Толщину экрана XT находим из формулы (7.12) после ее преобразования:
2t=l,ll•10
-12
•K(E)•fp•R.
В качестве материала выбираем латунь Л68:
Из условий механической прочности, жесткости и технологии пластической
деформации толщину стенки выбираем равной 0,4...0,5 мм.
Рассмотрим расчет конструкций электромагнитных экранов. Как следует из
рассмотренных принципов конструирования электростатических и магнитных экранов, их
работа основана на замыкании энергии соответствующих полей в материале экрана
вследствии лучшей
электропроводности или
магнитопроводности материала по
сравнению с окружающей средой
Такой способ экранирования пригоден и
оправдан в области только низких частот. С
ростом частоты растет величина вихревых
токов в материале, наведенных полем помехи.
Энергия помехи, достигая поверхности экрана,
вызывает появление этих токов. Глубина
проникновения токов наводки в стенку экрана
зависит от частоты из-за явления поверхно-
стного эффекта. По этим причинам величина
высокочастотного тока изменяется по сечению
стенки по закону, который для однородного
материала можно считать экспоненциальным
(рис 7 12):
Рис. 7.12. Поглощение электромагнитной помехи за счет скин-эффекта
161