ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
45
В области коммутируемых токов более 50 А основными приборами си-
ловой электроники являются силовые модули на базе IGBT (Insulated Gate
Bipolar Transistors) транзисторов. В настоящее время IGBT обеспечивают
коммутацию токов до 1800 А и напряжении до 4,5 кВ.
Упрощенная принципиаль-
ная схема ШИП представлена на
рис.2.5.1. Она содержит четыре
транзисторных ключа TK1-ТК4.
В диагональ моста образованно-
го транзисторными ключами
включена нагрузка, эквивалент-
ная двигателю постоянного тока
с регулированием по цепи яко-
ря.
Наиболее простой способ
управления ШИП по цепи якоря - сим-
метричный, когда в состоянии переклю-
чения находятся все четыре транзистора
моста, а напряжение на выходе ШИП
представляет собой знакопеременные
импульсы, длительность которых регу-
лируется входным сигналом
. Преимуществом симметричного метода управ-
ления является простота реализации и отсутствие зоны нечувствительности в
регулировочной характеристи-
ке. К недостаткам относят
двухполярное напряжение на
нагрузке и связанные с этим
повышенные пульсации тока
нагрузки.
Временные диаграммы
ШИП при симметричном спо-
собе управления приведены на
рис.2.5.2. При включении диа-
гонали моста VT1, VT4 и
вы-
ключении VT2, VT3, образуется
цепь
пннп
41 U,VT,E,L,R,VT,U −+
для протекания тока нагрузки.
К нагрузке в этом интервале
прикладывается напряжение
п
U
, а ток увеличивается от
mi
n
I до
max
I . На транзисторах
t
t
t
U1,U4
U2,U3
U
п
-U
п
I
max
I
min
U
н
I
н
γT
T
Рис.2.5.2
ГПН
Г
СС
РИ
У
ШИП
Рис.2.5.3
U
упр
U
п
U
н
U
упр
t
t
t
t
Рис.2.5.4
U
гпн
U
VT1,VT4
U
VT2,VT3
I
н
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »
