ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
12
Видно, что коэффициент регенерации увеличивается по мере приближения
m к 1. У границы самовозбуждения, т.е. при 1
≈
m , коэффициент p резко
возрастает. Отсюда следует, что при большом усилении незначительное
изменение режима может вызвать генерацию, что нарушит нормальную работу
схемы, работающей в качестве усилителя.
Необходимо отметить, что рисунок 4 служит качественной иллюстрацией
найденной зависимости, т.е. правильно передает только основные черты
закономерности. Действительно, в основу вывода зависимости (5) было положено
условие малости амплитуды
напряжения на затворе транзистора.
В то же время с ростом
m растет усиление; следовательно, растет и
амплитуда напряжения
g
U и в этом случае исходное предположение оказывается
несправедливым.
Вернемся к (4) и рассмотрим зависимость коэффициента регенерации от
амплитуды напряжения на затворе транзистора. Исследование проведем отдельно
для малых и больших амплитуд. При малых амплитудах значение
p определяется
(5), а при больших (
1,2
≈
>
gg
UthU
α
α
) — выражением
g
U
m
p
α
−
=
1
1
.
Видно, что полученное выражение стремится к единице с ростом
напряжения
g
U . Зависимость
(
)
g
Up при фиксированном значении параметра
самовозбуждения
m имеет вид, соответствующий рисунку 5.
Из рисунка 5 видно, что при помощи регенератора эффективно можно
усиливать только слабые сигналы: для сильных сигналов регенеративное
усиление неэффективно. Объясняется это тем, что средняя крутизна
характеристики падает с ростом амплитуды напряжения на затворе транзистора.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »