ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
9
где М – коэффициент взаимной индуктивности, S
ср
– средняя крутизна
вольтамперной характеристики (ВАХ) транзистора, С – емкость конденсатора.
Тогда эквивалентное активное сопротивление контура этой схемы имеет вид
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−=−=
RС
MS
R
С
MS
RR
срср
э
1
Рисунок 3 – Схема регенератора на полевом транзисторе.
Найдем выражение для добротности регенерированного контура. Известно,
что добротность обычного контура
R
Q
ρ
=
, (2)
где ρ - характеристическое сопротивление контура. Добротность
регенерированного контура
рег
Q определяется аналогично:
отрэ
рег
RRR
Q
+
==
ρ
ρ
(3)
и всегда больше
Q . Легко видеть, что добротность
рег
Q растет вместе с
приближением
отр
R к R , т.е. с приближением колебательного контура к порогу
генерации. Усиление напряжения сигнала происходит за счет энергии,
возвращаемой по цепи положительной обратной связи.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »