ВУЗ:
Составители:
При ХТО одновременно протекает несколько про-
цессов, обеспечивающих насыщение изделия элементами из
внешней среды.
1. Диссоциация - распад молекул с образованием ак-
тивных атомов диффундирующего элемента (in stutu nas-
cendi):
2CO → CO
2
+ C
NH
3
→ 3H + N
Одновременно с этим происходит диффузия
активных атомов к обрабатываемой поверхности.
2. Адсорбция – поглощение поверхностью металла
свободных атомов насыщающего элемента. Атомы металла,
находящиеся на поверхности, имеют направленные наружу
свободные связи. При подаче к поверхности детали атомов
насыщающего элемента эти свободные связи вступают в
силу, что уменьшает поверхностную энергию металла. С
повышением температуры адсорбционная способность ме-
талла увеличивается. Развитию процесса адсорбции помога-
ет способность диффундирующего элемента образовывать с
основным металлом твердые растворы.
3. Диффузия – проникновение насыщающего эле-
мента (адсорбированных атомов) вглубь металла. По мере
накопления атомов диффундирующего элемента на поверх-
ности насыщения, возникает диффузионный поток от по-
верхности вглубь обрабатываемого металла. Процесс воз-
можен только при условии растворимости диффундирую-
щего элемента в обрабатываемом материале и достаточно
высокой температуре, обеспечивающей необходимую ско-
рость диффузии.
Скорость диффузии атомов насыщающего элемента
в решетку железа неодинакова и зависит от состава и строе-
ния образующихся фаз: диффузия протекает быстрее при
образовании твердых растворов внедрения (при насыщении
углеродом или азотом, размеры атомов, которых малы), чем
твердых растворов замещения. Поэтому, при диффузионной
металлизации (насыщении металлами) процесс ведут при
более высоких температурах, длительно, и тем не менее,
получают меньшую толщину слоя, чем при насыщении азо-
том и углеродом.
В результате диффузии образуется диффузионный
слой, на поверхности которого концентрация диффунди-
рующего элемента наибольшая. По мере удаления от по-
верхности концентрация диффундирующего элемента пада-
ет. Глубина проникновения диффундирующего элемента
является толщиной диффузионного слоя.
Методы химико-термической обработки
Различают следующие основные методы насыщения
при ХТО:
1. Насыщение из порошковых смесей (порошковый
метод).
Благодаря простоте технологического процесса ме-
тод нашел применение в мелкосерийном и серийном произ-
водстве для цементации, алитирования, хромирования, бо-
рирования и т.д.
2. Прямоточный и циркуляционный методы диффу-
зионного насыщения из газовых сред.
Прямоточный газовый метод заключается в нагреве
изделий в герметичных печах, куда постоянно подается на-
сыщающий газ. Отработанный газ выходит из печи через
специальное отверстие и, как правило, сжигается. Метод
позволяет регулировать активность насыщающей атмосфе-
ры (потенциал атмосферы), широко применяется в мелкосе-
рийном и серийном производстве для цементации, нитро-
цементации и азотирования. Газовый метод обеспечивает
высокое качество диффузионного слоя и поверхности обра-
батываемого изделия. Циркуляционный метод отличается
повторным использованием насыщающего газа при систе-
При ХТО одновременно протекает несколько про- твердых растворов замещения. Поэтому, при диффузионной цессов, обеспечивающих насыщение изделия элементами из металлизации (насыщении металлами) процесс ведут при внешней среды. более высоких температурах, длительно, и тем не менее, 1. Диссоциация - распад молекул с образованием ак- получают меньшую толщину слоя, чем при насыщении азо- тивных атомов диффундирующего элемента (in stutu nas- том и углеродом. cendi): В результате диффузии образуется диффузионный 2CO → CO2 + C слой, на поверхности которого концентрация диффунди- NH3 → 3H + N рующего элемента наибольшая. По мере удаления от по- Одновременно с этим происходит диффузия верхности концентрация диффундирующего элемента пада- активных атомов к обрабатываемой поверхности. ет. Глубина проникновения диффундирующего элемента 2. Адсорбция – поглощение поверхностью металла является толщиной диффузионного слоя. свободных атомов насыщающего элемента. Атомы металла, находящиеся на поверхности, имеют направленные наружу Методы химико-термической обработки свободные связи. При подаче к поверхности детали атомов Различают следующие основные методы насыщения насыщающего элемента эти свободные связи вступают в при ХТО: силу, что уменьшает поверхностную энергию металла. С 1. Насыщение из порошковых смесей (порошковый повышением температуры адсорбционная способность ме- метод). талла увеличивается. Развитию процесса адсорбции помога- Благодаря простоте технологического процесса ме- ет способность диффундирующего элемента образовывать с тод нашел применение в мелкосерийном и серийном произ- основным металлом твердые растворы. водстве для цементации, алитирования, хромирования, бо- 3. Диффузия – проникновение насыщающего эле- рирования и т.д. мента (адсорбированных атомов) вглубь металла. По мере 2. Прямоточный и циркуляционный методы диффу- накопления атомов диффундирующего элемента на поверх- зионного насыщения из газовых сред. ности насыщения, возникает диффузионный поток от по- Прямоточный газовый метод заключается в нагреве верхности вглубь обрабатываемого металла. Процесс воз- изделий в герметичных печах, куда постоянно подается на- можен только при условии растворимости диффундирую- сыщающий газ. Отработанный газ выходит из печи через щего элемента в обрабатываемом материале и достаточно специальное отверстие и, как правило, сжигается. Метод высокой температуре, обеспечивающей необходимую ско- позволяет регулировать активность насыщающей атмосфе- рость диффузии. ры (потенциал атмосферы), широко применяется в мелкосе- Скорость диффузии атомов насыщающего элемента рийном и серийном производстве для цементации, нитро- в решетку железа неодинакова и зависит от состава и строе- цементации и азотирования. Газовый метод обеспечивает ния образующихся фаз: диффузия протекает быстрее при высокое качество диффузионного слоя и поверхности обра- образовании твердых растворов внедрения (при насыщении батываемого изделия. Циркуляционный метод отличается углеродом или азотом, размеры атомов, которых малы), чем повторным использованием насыщающего газа при систе-