ВУЗ:
Составители:
50
Приложение 13
Список использованных источников
1. Романычева Э.Т. и др. Разработка и оформление конструкторской
документации РЭА : Справ. пособие. М.: Радио и связь, 1990. 465 с.
2. Справочное пособие по черчению / В.Н. Богданов, И.Ф. Малежик,
А.П.Верхола и др. М.: Машиностроение, 1989. 864 с.
3. Матсон Э.А., Крыжановский Д.В
. Справочное пособие по
конструированию микросхем. - Минск: Выш. школа, 1982. 224 с.
4. Конструирование и технология изготовления интегральных схем:
Курсовое проектирование / Под ред. Л.А. Коледова. М.: Высш. школа,
1986. 238 с.
5. Забело А.Г. и др. Устройство для импульсной термообработки
полупроводниковых структур. А.с. СССР №1155120 , МКИ
4
HO1L
21/322. Заявлено 24.11.82; опубл. 07.08.84. Бюл. № 8. 3 с.
6. Пат. 3480152 США, МКИ
5
HO1L 21/02. New rapid thermal
annealind for GaAs./ Scovell P.D. (Великобритания) ; №8525295.
Заявлено 17.09.81; опубл. 26.03.86. 3 с.
7. Зандберг Э.Я., Кнатько М.В., Пантелеев В.И. Фотостимулированная
диссоциация молекул на поверхности твердого тела// Изв. АН. Сер.
Физическая. 1992. Т.56. № 8. С.21-27.
8. Родерик Э.Х. Контакты металл - полупроводник / Под.ред. Г.В.
Степанова. М.: Радио и связь, 1982. 209 с.
9. ГОСТ 2.105 - 95. Общие требования
к текстовой документации. -
М.: Изд-во стандартов, 1995. 21 с.
10. Bentini G., Correra L., Donolato C. Deffect intriduced in silicon wafers
during rapid isotermal annealing : Thermoplastic and thermaelastic effects //
J. Appl. Phys. 1984. Vol.58. № 10. Р.2922-2929.
