ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
84
В качестве полупроводниковых тензорезисторов используют
германиевые или кремниевые пластины. Длина тензорезистора составляет
5÷15 мм, они обладают высокой относительной чувствительностью в
пределах от 100 до 200 и сопротивлением от 50 Ом до 5 кОм. Высокое
значение относительной чувствительности позволяет снизить требования к
усилителям и использовать их для измерения в широком диапазоне
деформаций при наличии больших
электромагнитных помех.
Разработаны тензодатчики давления модульного типа в виде гибридных
интегральных схем, в которых на общем керамическом основании размещены
датчик и операционный усилитель. В них датчик выполняется по мостовой
схеме, элементы которой нанесены на поверхность кремниевой пластины
диффузионным способом.
Коэффициент чувствительности такого датчика достигает 90 %,
погрешность – 2 %.
Металлические тензодатчики обладают высокой
точностью и
стабильностью; они рассчитаны на широкую область применения.
Полупроводниковые тензодатчики обычно применяются для
динамических измерений в широком диапазоне частот.
Как, правило тензорезисторы включаются в цепь или по схеме делителя
напряжения или по мостовой схеме.
Цепь делителя R
1
, R
2
питается от источника напряжения U. Выходное
напряжение U
д
подается на R
H
. R
датчика
может быть на месте R
1
или R
2
(см. рис.
9.5.).
R
1
R
2
R
н
U
д
Рис. 9.5.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 82
- 83
- 84
- 85
- 86
- …
- следующая ›
- последняя »
