ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
48
Такой способ выращивания монокристаллического полупроводникового
слоя на аморфной подложке открывает новые возможности для изготовления
микроэлектронных приборов. С его помощью можно изготавливать на одной
и
той же подложке слои с различной кристаллографической ориентацией или
создавать пространственные структуры, выращивая второй полупроводнико-
вый слой на диэлектрическом аморфном подслое, например, из
оксида кремния.
Еще одним примером графоэпитаксии является так называемый метод
«мостиковой эпитаксии». В этом методе на пленку из оксида кремния,
в
которой методом фотолитографии сформированы окна, наносился слой поли-
кристаллического кремния. После этого кремниевый слой подвергался лазер-
ному отжигу. В результате из окон в пленке SiO
2
начинался рост эпитаксиаль-
ного слоя монокристаллического кремния.
3.7. Процессы в кремниевых структурах,
стимулированные радиационными дефектами
Улучшение качества оксидного слоя
Электрические свойства оксидного слоя, сформированного
на поверхности кремниевой подложки, в значительной степени зависят
от наличия в нем ионов щелочных металлов, которые могут попасть
в оксидный слой на этапе фотолитографии при удалении фоторезиста щелоча-
ми. Эти ионы способны мигрировать под воздействием электрического поля,
что снижает электрическую прочность слоя SiO
2
. Добавление в газ окислитель
хлорсодержащих компонентов позволяет снизить негативное влияние этих ио-
нов. Другим вариантом является обработка оксидного слоя небольшими дозами
тяжелых ионов.
Бомбардировка тяжелыми ионами вызывает в оксидном слое образование
структурных радиационных дефектов, действующих как ловушки для ионов
щелочных металлов. Ионы натрия или калия, мигрирующие в оксиде кремния,
попадают в области с высокой концентрацией радиационных дефектов и закре-
пляются там. Энергию ионов подбирают из условия их полного торможения в
оксидном слое. Дозы облучения составляют величину порядка 10
12
− 10
13
см
-2
.
Бомбардировка осуществляется ионами инертных газов, а также ионами бора
и фосфора.
Улучшение качества структур «кремний на сапфире»
Из-за несогласованности кристаллических решеток кремния и сапфира
качество эпитакcиального слоя кремния, граничащего с подложкой из Al
2
O
3
,
значительно хуже, чем в монокристаллическом слитке. В нем повышена кон-
центрация структурных дефектов, что сказывается на подвижности носителей
заряда. Для устранения структурных дефектов производят бомбардировку эпи-
таксиального слоя ионами неактивных примесей, чаще всего ионами кремния.
Энергию ионов подбирают так, чтобы максимум разупорядочения структуры
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »
