Составители:
Рубрика:
7
структурой). В отличие от неуправляемых вентилей тиристор имеет до-
полнительный управляющий электрод УЭ (рис. 4). Крайние p и n области
полупроводниковой структуры называются соответственно а нодом и к а-
тодом. ВАХ тиристора при отсутствии управляющего сигнала ( I
упр
= 0)
отличается от ВАХ обычного вентиля наличием большого выброса в пря-
мой ветви (рис. 5). Это означает, что при отсутствии управляющего напря-
жения сопротивление тиристора в прямом направлении велико, если на-
пряжение не превышает U
а mах
, так как сопротивление тиристора в дан-
ном случае определяется величиной обратного сопротивления среднего
p-n-перехода II, который включен в непроводящем направлении. При U
а
=
= U
а max
происходит пробой этого перехода и тиристор открывается. После
пробоя сопротивление тиристора приблизительно равно сопротивлению
полупроводникового диода в прямом включении. Если приложить к управ-
ляющему электроду определенный потенциал, то пробой среднего p-n-пере-
хода происходит при меньшем U
а max
. Знак потенциала зависит от того, на
какой слой запертого перехода поступает управляющий сигнал (p или n).
После этого тиристор теряет управляемость по управляющему электроду.
Закрывается тиристор тогда, когда его ток становится меньшим I
выкл
.
Модификациями тиристора являются диодный тиристор (динистор)
и симметричный тиристор (симистор). У динистора отсутствует управ-
ляющий электрод, его ВАХ повторяет характеристику тиристора при
I
упр
= 0. Симистор имеет характеристику, приведенную на рис. 6.
Тиристоры выпускаются на токи до нескольких сотен ампер и на
допустимые обратные напряжения до 1000 В. Время переключения ти-
ристоров: 1…5 мкс, время восстановления запирающего слоя: 2…20 мкс.
+ А
– К
+ УЭ
ppnn
I
выкл
I
вкл
U
a max
U
пр
I
y2
> I
y1
> I
y
= 0
+ А – К
+ УЭ
Рис. 4 Рис. 5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
