ВУЗ:
Составители:
112
процессов [sn057+jurnal]. Количественные различия при энергии
14 ТэВ составляют ~ 12 и 50% для неупругих и упругих сечений,
соответственно.
Рис.11.1. Расположение вторичных частиц при упругом
взаимодействии протонов (а), в процессах одновершинной (b) и
двухвершинной дифракции (c) и неупругом взаимодействии (d) в
переменных псевдобыстроты η и азимутального угла φ.
процессов [sn057+jurnal]. Количественные различия при энергии
14 ТэВ составляют ~ 12 и 50% для неупругих и упругих сечений,
соответственно.
Рис.11.1. Расположение вторичных частиц при упругом
взаимодействии протонов (а), в процессах одновершинной (b) и
двухвершинной дифракции (c) и неупругом взаимодействии (d) в
переменных псевдобыстроты η и азимутального угла φ.
112
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 110
- 111
- 112
- 113
- 114
- …
- следующая ›
- последняя »
