ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
7
переходные процессы, возникающие в источниках питания при
переключениях, емкостные и индуктивные выбросы при перекоммутациях
релейных и электронных схем, гальванически связанных с ППИ, наводки
от рядом расположенных сильноточных цепей.
Приведенная схема подключения индикатора может быть
использована при U
ип
, меньшем либо равном U
обр
. При таком включении не
существует опасности пробоя даже при установке полупроводникового
индикатора в схему обратной полярностью. При положительном
импульсном выбросе U
ип
пробоя индикатора не наступает, так как он
выдерживает значительные выбросы прямого пикового тока I
пик
(например,
для ЗЛ341Б при I
пр
=10 мА I
пик.макс
= 60 мА). При отрицательных выбросах
U
ип
, не превышающих |U
ип
| + |U
обр
|, снижается I
пр
с соответствующим,
естественно, снижением яркости свечения полупроводникового
индикатора, при этом повреждения индикатора не происходит.
При отрицательных выбросах U
ип
превышающих |U
ип
| + |U
обр
|,
необходима защита индикатора последовательным (рис. 1.4) включением
кремниевого диода. При расчете сопротивления токоограничивающего
резистора R и выборе кремниевого диода необходимо обеспечивать
значение тока через индикатор и кремниевый диод в соответствии с
паспортными значениями.
Как указывалось выше, полупроводниковый индикатор работает
только при протекании тока через него в прямом направлении. При
необходимости работы индикатора на переменном токе требуется
предусмотреть его защиту от воздействия обратного напряжения, если
ожидается превышение максимально допустимого обратного
напряжения для данного индикатора. На рис. 1.5.а приведена схема
защиты индикатора от воздействия U
обр
с помощью кремниевого диода.
При выборе диода необходимо обеспечить соответствие протекающих
через него токов паспортным значениям.
Параллельно-встречное включение кремниевого диода, приведенное
на рис. 1.5.а, может быть также использовано для защиты индикатора,
используемого в режиме работы при постоянном токе, для защиты
8
Рис. 1.4. Схема защиты индикатора при отрицательных выбросах
U
ип
последовательным включением кремниевого диода
от отрицательных выбросов U
пит
, превышающих |U
ип
| + |U
обр
|.
На рис. 1.5.б [12] приведена схема защиты с использованием
двух индикаторов, включенных встречно-параллельно. Яркость свечения
такого индикатора в результате использования обеих полуволн
переменного тока будет выше яркости индикатора на схеме рис. 1.5.а.
При расчете резистора R необходимо руководствоваться не столько
обеспечением равенства проходящего через него тока паспортному
значению I
пр
, сколько превышением паспортного значения U
обр
на
непроводящем полупроводниковом индикаторе.
Рис. 1.5. Схема включения индикаторов в сеть переменного тока с
защитой от пробоя: а — встречным включением кремниевого диода; б
— встречным включением второго индикатора
На рис. 1.6 представлена схема защиты индикатора при помощи
резистора R
1
, обеспечивающего ограничение падения напряжения на
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »
