Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

15
1
U
п Uкэ Uпр
R
Iпр
− −
=
,
где
U
п
- напряжение питания,
U
кэ
- падение напряжения на переходе коллектор- эмиттер
транзистора VT1 в открытом состоянии,
U
пр
- прямое падение напряжения на светодиоде при токе
I
пр
.
Ток базы насыщения транзистора определяется из выражения:
I
кн Iпр
Iбн
β β
= =
,
где β – статический коэффициент передачи транзистора VT1.
Выбираем степень насыщения S = 2, тогда ток базы будет равен:
2I
= ⋅ =
Т ок базы задается базовым резистором, который можно найти по
формуле:
1R
U
п Uбэ U Uпр
Rб
I
б
− − −
=
Расчет схемы управления для остальных разрядов аналогичен
приведенному выше.
Если в цифровом табло используется индикатор с общим анодом,
то его схема управления будет отличаться только подключением общего
вывода индикатора и применяемым типом дешифратора (рис.1.13).
Резисторы R1÷R7 задают режим работы каждого сегмента
индикатора и определяются из выражения:
0
1
U
п Uпр U вых
R
Iпр
− −
=
,
где
U
п
- напряжение питания,
U
пр
- прямое падение напряжения на сегменте индикатора,
16
0
U
вых
- выходное напряжение низкого уровня дешифратора
DD2.
Рис.1.13 Схема включения полупроводниковых индикаторов с общим
анодом в статическом режиме работы
Прямой ток через сегмент индикатора определяется аналогично,
как и для индикаторов с общим катодом. Максимальный выходной ток
низкого уровня дешифратора должен быть больше или равен прямому току
через сегмент:
0
I
вых I
мах пр
≥
Если ток сегмента превышает выходной ток дешифратора, то
необходимо применить транзисторный усилитель (рис.1.14).
Рис.1.14. Схема включения полупроводниковых индикаторов с общим
анодом в статическом режиме работы
Сопротивления Rк1÷Rк7 определяются из выражения:

Страницы