ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
9
а) зависимость статического и дифференциального сопротивлений
диода от тока при прямом включении;
в) зависимость статического и дифференциального сопротивлений
диода от напряжения при обратном включении;
с) зависимость дифференциального сопротивления стабилитрона от
тока в режиме стабилизации;
d) коэффициент перестройки варикапа в диапазоне исследованных
напряжений.
Результаты представить преподавателю для контроля.
2.2. Работа 2
Исследование транзистора. Схема включения «общий эмиттер» (ОЭ)
Цель работы. Исследовать физические процессы, происходящие в
транзисторе. Ознакомиться с характеристиками транзистора в схеме с
ОЭ и методами определения параметров транзистора по его
характеристикам.
Подготовительная часть работы. Изучить теорию работы
транзистора и вид его характеристик в различных схемах включения.
Ознакомиться с методикой и схемами снятия
характеристик
транзистора, методами определения параметров по его
характеристикам.
Экспериментальная часть работы. Собрать схему 4.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
