ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
13
Определить зависимость крутизны и выходного сопротивления
транзистора в зависимости от режима работы. Результаты
представить для контроля преподавателю.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Что такое полупроводниковый диод? Как классифицируются
полупроводниковые диоды?
2. Из каких соображений выбирают концентрации примесей в
эмиттере и базе диода?
3. Как зависит тепловой ток диода от температуры?
4. Нарисуйте характеристику диода в области прямых напряжений.
Укажите причины отличия этой характеристики от теоретической.
5. Что такое коэффициент инжекции и как он влияет на величину
сопротивления базы?
6. Нарисуйте обратную ветвь характеристики диода. Перечислите и
объясните причины отличия ее от теоретической характеристики.
7. Что такое лавинный пробой и каков механизм его возникновения?
8. Что такое туннельный пробой и каков механизм его
возникновения?
9. Что такое тепловой пробой перехода и каков механизм его
возникновения?
10. Как влияет температура окружающей среды на вид вольтамперной
характеристики диода?
11. Что такое сопротивление диода постоянному току и как оно
определяется?
12. Что такое динамическое сопротивление диода и как оно
определяется?
13. Какие существуют емкости диода?
14. Что такое барьерная емкость диода? Какой физический процесс
она характеризует?
15. Что такое варикап? Нарисуйте и объясните его характеристику.
16. Что такое диффузионная емкость диода и какой физический
процесс она характеризует?
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
