ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
16
Продолжение табл. 3
Виды погрешностей и их
предельные величины
Наименование
метода
Объем контрольных
измерений, %
средняя арифмет.
m
a
средняя
квадратическая
m
k
средняя
относительная
m
оср
, %
Примечание
Метод заряда с
измерением
характеристик
электрического
поля
10
±5
Анализируемый параметр
I
U
∆
– разность потенциалов,
нормируемая по току
Магнитотеллури
ческое
зондирование
(МТЗ)
≥ 5
5%
Анализируемый параметр –
модуль эффективного
импеданса │Zэф│
Метод
частотного и
дистанционного
зондирования
гармоническим
электромагнитн
ым
полем
≥ 5 5-10
Анализиуемый параметр –
кажущееся удельное
сопротивление на переменном
токе (ρ
ω
)
Метод
зондирования
становлением
электромагнитно
го поля
≥ 5
1-5
Анализируемый параметр –
(
)
I
tU
∆
Низкочастотный
индуктивный
метод длинного
кабеля
5-10
3
0
3-5
Анализируемые параметры:
H
z
, H
y
угол ψ
zy
Дипольное
электромагнитно
е и индуктивное
профилирование
≥ 5
1
0
1-3
1-3
Анализируемые параметры:
H
z
, H
τ
на частотах:
до 10 кГц
свыше 10 кГц
фазовый сдвиг
Метод
переходных
процессов
≥ 5
20
Анализируемый параметр –
ЭДС переходного процесса
(
)
I
te
x
Продолжение табл. 3
Виды погрешностей и их
Объем контрольных
предельные величины
измерений, %
средняя арифмет.
квадратическая
Наименование
относительная
Примечание
средняя
метода
mоср, %
mk
ma
средняя
Метод заряда с Анализируемый параметр
измерением ∆U
характеристик 10 ±5 – разность потенциалов,
электрического I
поля нормируемая по току
Магнитотеллури
Анализируемый параметр –
ческое
≥5 5% модуль эффективного
зондирование
импеданса │Zэф│
(МТЗ)
Метод
частотного и
дистанционного Анализиуемый параметр –
зондирования кажущееся удельное
≥5 5-10
гармоническим сопротивление на переменном
электромагнитн токе (ρω)
ым
полем
Метод
зондирования Анализируемый параметр –
становлением ≥5 1-5 ∆U (t )
электромагнитно I
го поля
Низкочастотный
Анализируемые параметры:
индуктивный
3-5 Hz, Hy
метод длинного 5-10
30 угол ψzy
кабеля
Анализируемые параметры:
Дипольное
1-3 Hz, Hτ на частотах:
электромагнитно
1-3 до 10 кГц
е и индуктивное ≥5
свыше 10 кГц
профилирование
10 фазовый сдвиг
Анализируемый параметр –
Метод e(t x )
переходных ЭДС переходного процесса
≥5 20 I
процессов
16
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »
