ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
16
Продолжение табл. 3
Виды погрешностей и их
предельные величины
Наименование
метода
Объем контрольных
измерений, %
средняя арифмет.
m
a
средняя
квадратическая
m
k
средняя
относительная
m
оср
, %
Примечание
Метод заряда с
измерением
характеристик
электрического
поля
10
±5
Анализируемый параметр
I
U
∆
– разность потенциалов,
нормируемая по току
Магнитотеллури
ческое
зондирование
(МТЗ)
≥ 5
5%
Анализируемый параметр –
модуль эффективного
импеданса │Zэф│
Метод
частотного и
дистанционного
зондирования
гармоническим
электромагнитн
ым
полем
≥ 5 5-10
Анализиуемый параметр –
кажущееся удельное
сопротивление на переменном
токе (ρ
ω
)
Метод
зондирования
становлением
электромагнитно
го поля
≥ 5
1-5
Анализируемый параметр –
(
)
I
tU
∆
Низкочастотный
индуктивный
метод длинного
кабеля
5-10
3
0
3-5
Анализируемые параметры:
H
z
, H
y
угол ψ
zy
Дипольное
электромагнитно
е и индуктивное
профилирование
≥ 5
1
0
1-3
1-3
Анализируемые параметры:
H
z
, H
τ
на частотах:
до 10 кГц
свыше 10 кГц
фазовый сдвиг
Метод
переходных
процессов
≥ 5
20
Анализируемый параметр –
ЭДС переходного процесса
(
)
I
te
x
Продолжение табл. 3 Виды погрешностей и их Объем контрольных предельные величины измерений, % средняя арифмет. квадратическая Наименование относительная Примечание средняя метода mоср, % mk ma средняя Метод заряда с Анализируемый параметр измерением ∆U характеристик 10 ±5 – разность потенциалов, электрического I поля нормируемая по току Магнитотеллури Анализируемый параметр – ческое ≥5 5% модуль эффективного зондирование импеданса │Zэф│ (МТЗ) Метод частотного и дистанционного Анализиуемый параметр – зондирования кажущееся удельное ≥5 5-10 гармоническим сопротивление на переменном электромагнитн токе (ρω) ым полем Метод зондирования Анализируемый параметр – становлением ≥5 1-5 ∆U (t ) электромагнитно I го поля Низкочастотный Анализируемые параметры: индуктивный 3-5 Hz, Hy метод длинного 5-10 30 угол ψzy кабеля Анализируемые параметры: Дипольное 1-3 Hz, Hτ на частотах: электромагнитно 1-3 до 10 кГц е и индуктивное ≥5 свыше 10 кГц профилирование 10 фазовый сдвиг Анализируемый параметр – Метод e(t x ) переходных ЭДС переходного процесса ≥5 20 I процессов 16
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »