ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ударную волну, которая приводит звезду в «возбужденное» состояние,
соответствующее максимуму блеска.
Околозвездные оболочки. Ударные волны индуцируют уси-
ленную потерю массы звездой со скоростью
57
10 -10 год.
−−
∼ M
Это
примерно в 40 раз больше, чем постепенная, вызванная излучением
потеря массы у звезд с постоянной светимостью. В процессе уноса
вещества вокруг мириды образуется расширяющаяся газопылевая
оболочка, скорость разлета которой достигает нескольких километров
в секунду. Околозвездная оболочка имеет довольно низкую темпера-
туру, ниже 1000K. Концентрация газа во внутренних слоях достигает
12
10 частиц на Кроме водорода в оболочках мирид, богатых
3
1см .
2
H
кислородом, присутствуют молекулы, содержащие атом кислорода
(CO, OH, SiO). Линейные размеры оболочек сотни и тысячи ас-
2
HO,
трономических единиц.
В оптической области спектра оболочка ничем не проявляет се-
бя. Ее присутствие обнаруживается главным образом по линиям по-
глощения CO, OH и в инфракрасном диапазоне, а также по эмис-
2
HO
сионным радиолиниям молекулы CO. Самым же неожиданным оказа-
лось мощное мазерное излучение в эмиссионных линиях молекул он
( ), (1,35см) и SiO (λ 18см=
2
HO
λ 7мм,
=
3,5
).
мм
Мазеры в расширяющихся околозвездных оболочках мирид.
Условия в околозвездной оболочке мирид таковы, что верхние уровни
соответствующих квантовых переходов у молекул OH, и SiO
2
HO
оказываются перенаселенными по отношению к нижним уровням, т.е.
имеет место постоянно действующая «накачка» молекул на верхние
уровни, которая осуществляется инфракрасным излучением звезды.
Если через слой газа, подготовленный таким образом, проходит ра-
диоизлучение с частотой, равной частоте «накачанного» перехода, то
оно вызывает цепную реакцию индуцированных переходов в молеку-
лах. В результате излучение многократно усиливается.
Условия для возбуждения молекул OH, и SiO различны,
2
HO
поэтому мазеры, порождающие линии этих молекул, расположены на
разных расстояниях от звезды: и SiO – во внутренних частях
2
HO
оболочки на расстоянии 6-10 а.е. от центра звезды, а внешний радиус
оболочки OH достигает 1000 а.е.
Мощность мазеров-мирид на несколько порядков меньше, чем
космических мазеров, связанных с очагами звездообразования (§15).
Так, мощность излучения в линии он составляет
24 28
10 -10 эрг с, в ли-
нии –
2
HO
24 28
10 -10 эрг с, SiO –
26 27
10 -10 эрг с, причем мощность
116
ударную волну, которая приводит звезду в «возбужденное» состояние, соответствующее максимуму блеска. Околозвездные оболочки. Ударные волны индуцируют уси- ленную потерю массы звездой со скоростью ∼ 10−5 -10−7 M год. Это примерно в 40 раз больше, чем постепенная, вызванная излучением потеря массы у звезд с постоянной светимостью. В процессе уноса вещества вокруг мириды образуется расширяющаяся газопылевая оболочка, скорость разлета которой достигает нескольких километров в секунду. Околозвездная оболочка имеет довольно низкую темпера- туру, ниже 1000K. Концентрация газа во внутренних слоях достигает 1012 частиц на 1см3. Кроме водорода H 2 в оболочках мирид, богатых кислородом, присутствуют молекулы, содержащие атом кислорода (CO, OH, H 2O, SiO). Линейные размеры оболочек сотни и тысячи ас- трономических единиц. В оптической области спектра оболочка ничем не проявляет се- бя. Ее присутствие обнаруживается главным образом по линиям по- глощения CO, OH и H 2O в инфракрасном диапазоне, а также по эмис- сионным радиолиниям молекулы CO. Самым же неожиданным оказа- лось мощное мазерное излучение в эмиссионных линиях молекул он ( λ = 18см ), H 2O (1,35см) и SiO ( λ = 7мм, 3,5мм ). Мазеры в расширяющихся околозвездных оболочках мирид. Условия в околозвездной оболочке мирид таковы, что верхние уровни соответствующих квантовых переходов у молекул OH, H 2O и SiO оказываются перенаселенными по отношению к нижним уровням, т.е. имеет место постоянно действующая «накачка» молекул на верхние уровни, которая осуществляется инфракрасным излучением звезды. Если через слой газа, подготовленный таким образом, проходит ра- диоизлучение с частотой, равной частоте «накачанного» перехода, то оно вызывает цепную реакцию индуцированных переходов в молеку- лах. В результате излучение многократно усиливается. Условия для возбуждения молекул OH, H 2O и SiO различны, поэтому мазеры, порождающие линии этих молекул, расположены на разных расстояниях от звезды: H 2O и SiO – во внутренних частях оболочки на расстоянии 6-10 а.е. от центра звезды, а внешний радиус оболочки OH достигает 1000 а.е. Мощность мазеров-мирид на несколько порядков меньше, чем космических мазеров, связанных с очагами звездообразования (§15). Так, мощность излучения в линии он составляет 1024 -1028 эрг с, в ли- нии H 2O – 1024 -1028 эрг с, SiO – 1026 -1027 эрг с, причем мощность 116
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 114
- 115
- 116
- 117
- 118
- …
- следующая ›
- последняя »