ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
18
4. Инжекция неосновных носителей заряда через n-p переход - это самый
распространенный способ накачки полупроводниковых лазеров, который
позволяет непосредственно, без промежуточных стадий, преобразовывать
электрическую энергию в лазерное излучение.
5. Химическая накачка применяется главным образом в газовых лазерах
и использует химические реакции, сопровождающиеся образованием
возбужденных продуктов.
6. Газодинамическая накачка. Этот метод применяется в газовых лазерах
и заключается в резком охлаждении рабочего газа, в результате чего может
быть достигнута инверсная заселенность.
1.3.3. Условия создания инверсной населенности
Условия получения инверсной населенности уровней можно получить из
анализа балансных уравнений кинетики заселения и тушения конкретных
энергетических уровней в активной среде при наличии накачки. При этом нет
необходимости рассматривать все возможные элементарные процессы в
системе, достаточно ограничиться лишь теми, которые вносят наиболее
существенный вклад в изменение населенности рабочих уровней под
действием накачки. В общем случае достаточно рассмотреть двух-, трех- и
четырехуровневую схемы возбуждения активного вещества, соответствующие
количеству энергетических уровней, участвующих в создании инверсной
населенности.
1.3.4. Двухуровневая система
Рассмотрим простейшую двухуровневую систему, в которой активная
среда имеет уровень Е
1
- основное состояние и уровень Е
2
- возможное
возбужденное состояние (рис.1.4).
4. Инжекция неосновных носителей заряда через n-p переход - это самый
распространенный способ накачки полупроводниковых лазеров, который
позволяет непосредственно, без промежуточных стадий, преобразовывать
электрическую энергию в лазерное излучение.
5. Химическая накачка применяется главным образом в газовых лазерах
и использует химические реакции, сопровождающиеся образованием
возбужденных продуктов.
6. Газодинамическая накачка. Этот метод применяется в газовых лазерах
и заключается в резком охлаждении рабочего газа, в результате чего может
быть достигнута инверсная заселенность.
1.3.3. Условия создания инверсной населенности
Условия получения инверсной населенности уровней можно получить из
анализа балансных уравнений кинетики заселения и тушения конкретных
энергетических уровней в активной среде при наличии накачки. При этом нет
необходимости рассматривать все возможные элементарные процессы в
системе, достаточно ограничиться лишь теми, которые вносят наиболее
существенный вклад в изменение населенности рабочих уровней под
действием накачки. В общем случае достаточно рассмотреть двух-, трех- и
четырехуровневую схемы возбуждения активного вещества, соответствующие
количеству энергетических уровней, участвующих в создании инверсной
населенности.
1.3.4. Двухуровневая система
Рассмотрим простейшую двухуровневую систему, в которой активная
среда имеет уровень Е1 - основное состояние и уровень Е2 - возможное
возбужденное состояние (рис.1.4).
18
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
