Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 15 стр.

      4. Инжекция неосновных носителей заряда через n-p переход - это самый
распространенный способ накачки полупроводниковых лазеров, который
позволяет непосредственно, без промежуточных стадий, преобразовывать
электрическую энергию в лазерное излучение.
      5. Химическая накачка применяется главным образом в газовых лазерах
и использует химические реакции, сопровождающиеся образованием
возбужденных продуктов.
      6. Газодинамическая накачка. Этот метод применяется в газовых лазерах
и заключается в резком охлаждении рабочего газа, в результате чего может
быть достигнута инверсная заселенность.

              1.3.3. Условия создания инверсной населенности
      Условия получения инверсной населенности уровней можно получить из
анализа балансных уравнений кинетики заселения и тушения конкретных
энергетических уровней в активной среде при наличии накачки. При этом нет
необходимости рассматривать все возможные элементарные процессы в
системе, достаточно ограничиться лишь теми, которые вносят наиболее
существенный вклад в изменение населенности рабочих уровней под
действием накачки. В общем случае достаточно рассмотреть двух-, трех- и
четырехуровневую схемы возбуждения активного вещества, соответствующие
количеству энергетических уровней, участвующих в создании инверсной
населенности.

                      1.3.4. Двухуровневая система
     Рассмотрим простейшую двухуровневую систему, в которой активная
среда имеет уровень Е1 - основное состояние и уровень Е2 - возможное
возбужденное состояние (рис.1.4).




                                    18