Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 58 стр.

      1864 год - Дж. К. Максвелл сформулировал основные уравнения
электродинамики.
      1873 год - У. Смит открыл и в 1888 году А. Г. Столетов провел
исследования внутреннего и внешнего фотоэффектов.
      1917 год - А. Эйнштейн показал возможность создания вынужденного
(индуцированного) излучения.
      1947 год - Д. Габор создал основы голографии.
      1954 год - А. М. Прохоров, Н. Г. Басов, Ч. Таунс создали молекулярный
генератор на аммиаке, положивший начало развитию квантовой электроники.
      1960 - 1964 годы - разработка и создание целого ряда лазеров -
твердотельных, газовых, полупроводниковых.
      Промышленное производство конкретных оптоэлектронных приборов и
устройств началось сравнительно недавно, в 1965 - 1970 годах. Элементная
база современной оптоэлектроники включает в себя следующие основные
группы приборов.
      1. Источники излучения, в качестве которых чаще всего используются
полупроводниковые лазеры (когерентные излучатели) и светодиоды
(некогерентные излучатели).
      2. Фотоэлектрические приемники излучения - фоторезисторы,
фотоприемники с n-р-переходом.
      3. Приборы и устройства для управления излучением - модуляторы,
дефлекторы, управляемые транспаранты и др.
      4. Приборы для отображения информации - индикаторы, индикаторные
панели.
      5. Приборы для электрической изоляции - оптроны.
      6. Оптические каналы связи, волоконно-оптические световоды и линии.
      7. Оптические системы и устройства для запоминания и хранения
информации.

      2.2. ИСТОЧНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
      Приборы, в которых осуществляется преобразование электрической
энергии в световую, относятся к излучающим. К оптическому диапазону
спектра в общем случае относятся электромагнитные волны, длина которых
составляет от 1 до 106 нм. Реально в оптоэлектронике используется обычно
более узкий диапазон длин волн,       включающий видимую и ближние


                                    61