ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
10
Таблица 1.1.
Влияние адсорбированных слоёв на работу выхода электронов из вольфрама.
(Указаны минимальные значения работы выхода)
система
ϕ основы, эВ ϕ примеси, эВ ϕ системы, эВ
W – Th 4,5 3,4 2,6
W – Ba 4,5 2,5 1,6
W – Cs 4,5 1,9 1,5
1.2.2. Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
Энергетический барьер при переходе электрона с поверхности
полупроводника в вакуум (полная работа выхода), как видно из рис. 1.1,
складывается из полуширины запрещенной зоны полупроводника и внешней
работы выхода:
ϕ
полн
= ∆Е/2 + ϕ
внешн
(1.20)
Для невырожденного полупроводника можно использовать
классическое уравнение Ричардсона (1.15) для описания зависимости
плотности эмиссионного тока от температуры. Но следует учитывать, что
концентрация электронов в зоне проводимости зависит от температуры:
∆
−=
kT2
E
expcTn
4/3
(1.21)
Комбинируя это уравнение с уравнением Ричардсона, можно получить:
∆+ϕ
−=
kT
2/E
expATj
‰’4/5
(1.22)
Отметим, что плотность термоэмиссионного тока определяется в
основном температурой в показателе экспоненты. Температура в
предэкспоненциальном множителе слабо влияет на величину тока эмиссии.
1.2.3. Термокатоды
Эмиттеры, в которых используется испускание электронов при
нагревании твёрдого тела, называются термокатодами. Термокатоды
классифицируют по способу нагрева (прямого и косвенного накала) и по
виду эмитирующей поверхности (металлические, плёночные, в том числе
эффективные, и полупроводниковые). Различные типы термокатодов
сравнивают по следующим параметрам:
1. Плотность эмиссионного тока при рабочей температуре;
2. Эффективность, представляющая собой отношение тока эмиссии к
мощности, затрачиваемой на разогрев катода;
Таблица 1.1. Влияние адсорбированных слоёв на работу выхода электронов из вольфрама. (Указаны минимальные значения работы выхода) система ϕ основы, эВ ϕ примеси, эВ ϕ системы, эВ W – Th 4,5 3,4 2,6 W – Ba 4,5 2,5 1,6 W – Cs 4,5 1,9 1,5 1.2.2. Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников Энергетический барьер при переходе электрона с поверхности полупроводника в вакуум (полная работа выхода), как видно из рис. 1.1, складывается из полуширины запрещенной зоны полупроводника и внешней работы выхода: ϕполн = ∆Е/2 + ϕвнешн (1.20) Для невырожденного полупроводника можно использовать классическое уравнение Ричардсона (1.15) для описания зависимости плотности эмиссионного тока от температуры. Но следует учитывать, что концентрация электронов в зоне проводимости зависит от температуры: ∆E n = cT 3 / 4 exp − (1.21) 2 kT Комбинируя это уравнение с уравнением Ричардсона, можно получить: ϕ + ∆E / 2 j = AT 5 / 4 exp − ‰’ (1.22) kT Отметим, что плотность термоэмиссионного тока определяется в основном температурой в показателе экспоненты. Температура в предэкспоненциальном множителе слабо влияет на величину тока эмиссии. 1.2.3. Термокатоды Эмиттеры, в которых используется испускание электронов при нагревании твёрдого тела, называются термокатодами. Термокатоды классифицируют по способу нагрева (прямого и косвенного накала) и по виду эмитирующей поверхности (металлические, плёночные, в том числе эффективные, и полупроводниковые). Различные типы термокатодов сравнивают по следующим параметрам: 1. Плотность эмиссионного тока при рабочей температуре; 2. Эффективность, представляющая собой отношение тока эмиссии к мощности, затрачиваемой на разогрев катода; 10
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »