ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Рисунок 5 Идеализированная схема расположения ионов каменной соли: а –
в узлах решетки в отсутствии внешнего электрического поля; б – смещение
из узлов на небольшие расстояния при воздействии поля.
где: q - заряд иона; k
упр
- коэффициент упругой связи между ионами.
Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры у твердых
ионных линейных диэлектриков может быть различной. У большинства
ионных диэлектриков с ростом температуры ε увеличивается, т.к. при этом
уменьшается коэффициент упругой связи между ионами и расстояние между
ними увеличивается при тепловом расширении материала. Диэлектрическая
проницаемость увеличивается с
ростом температуры для неорганических
стекол различного состава, для керамического материала -
электротехнического фарфора, содержащего большое количество
стекловидной фазы. Но у некоторых веществ электронная поляризация
преобладает над ионной, как, например, у рутила TiO
2
и перовскита CaTiO
3
,
и ε ростом температуры уменьшается, как показано на рис. 6, где линия 1
показывает изменение ε для электротехнического фарфора на частоте 50 Гц,
а линия 2 - для титаносодержащей керамики.
12
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
