Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы. Тамаров П.Г. - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

52
4. Описание лабораторной установки
Структурная схема лабораторной установки для исследования
отражательного клистрона показана на рис.7.
Установка состоит из клистрона, блока питания, волноводной части,
включающей аттенюатор, коаксиальный волномер по параллельной схеме
включения и детекторную секцию.
Блок питания имеет переднюю панель, на которой размещается
тумблер «Сеть» для включения напряжения накала, тумблеры «Питание
17
С ростом номера n в выражении (30) увеличивается числитель и
уменьшается знаменатель
В результате с ростом n крутизна
быстро увеличивается.
3.6. Крутизна электронной настройки в центре зоны
Этот параметр служит для численной оценки перестройки частоты
- нагруженная добротность резонатора.
- угол пролета зазора резонатора;
получаем
где
Подставляя значения
3.5. Диапазон электронной перестройки по частоте
Уравнение баланса фаз при самовозбуждении отражательного
клистрона, которое имеет вид (21)
должна представляться участком ДВ прямой ОВ.
Таким образом, переходному участку СД соответствует
отрицательная дифференциальная подвижность
На основе рассмотренного можно сделать следующие выводы. Для
того чтобы механизм перехода электронов приводил к возникновению
ДОС, должны выполняться следующие требования;
- температура решетки должна быть достаточно низкой, чтобы в
отсутствие приложенного извне электрического поля большая часть
электронов находилась в нижнем минимуме зоны проводимости;
- в нижнем минимуме зоны проводимости электроны должны иметь
высокую подвижность, малую эффективную массу и малую плотность
состояний, в то время как в верхнем минимуме электроны должны иметь
низкую подвижность, большую эффективную массу и высокую плотность
состояния;
- энергетический зазор между долинами должен быть меньше, чем
ширина запрещенной зоны полупроводника, чтобы лавинный пробой не
наступал до перехода электронов в верхнюю долину, Исследования
показывают, что переход электронов из нижней долины в верхнюю
происходит не по всему образцу, а лишь в узкой области образца, где
имеется неоднородность концентрации примеси или флуктуации
электрического поля. Предположим, что на небольшом участке имеется
меньшая концентрация донорной примеси, чем в остальной части образца,
т. е. имеется участок с повышенным сопротивлением. Увеличение
локального сопротивления приведет к росту падения напряжения на нем
и, как следствие, росту напряженности поля E в пределах этого участка
по сравнению с остальным образцом. Если на рассматриваемом участке
Е > Е
n
,а вне его E < E
n
, то на этом участке начнется переход электронов
из нижней долины в верхнюю, сопровождающийся снижением дрейфовой
скорости. Оказавшиеся в верхней долине электроны начинают отставать
от неперешедших, так что в левой части локального участка наблюдается
избыток электронов (отрицательный объемный заряд), а в правой
недостаток, т. е. положительный объемный заряд донорных ионов.
Образующийся при этом двойной электрический слой объемного заряда
называется электрическим доменом, Графики, иллюстрирующие
механизм образования электрического домена показаны на рис. 3.
Образование домена означает увеличение напряженности поля на участке,
занимаемым доменом. При постоянном внешнем напряжении на образце

Страницы