Математическое моделирование технологических процессов и ИМС. Тамаров В.А. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

«Высшая математика», «Информатика», «Технология полупроводниковых
приборов и ИМС», «Физика микроэлектронных приборов».
Основные положения дисциплины должны быть использования при ди-
пломном проектировании.
6.Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределения ча-
сов по видам занятий
Количество часов занятий
аудиторных
Название раздела
лекци-
онных
практи-
ческих
лабора-
торных
самостоя
тельных
Уровни *
изучения
Введение 2 – – – А
Моделирование техно-
логических процессов
10 – 16 8 В
Моделирование полу-
проводниковых струк-
тур
6 4 6 10 В
Моделирование элемен-
тов интегральных схем
10 10 12 12 В
Моделирование ИМС 6 4 – 4 Г
* А – для общей эрудиции;
В - для использования непосредственно в профессиональной деятельности;
Г - вновь рассматриваемый раздел.
7. Лекции.
7.1. Разделы и их содержание.
Введение.
7.1.1. Моделирование технологических процессов (10 часов).
Модели процессов ионного легирования, модели диффузионных процес-
сов. Модели термического окисления. Моделирование граничных процессов.
Моделирование процессов эпитаксии. Моделирование процессов литографии.
Моделирование процессов с
использованием поликремния.
7.1.2. Моделирование полупроводниковых структур (6 часов).
Назначение и проблемы численного моделирования полупроводниковых
структур. Основные уравнения полупроводника. Ограничения моделей. Воз-
можные подходы к моделированию. Особенности применения приближенных
структурно-физических моделей.
7.1.3. Моделирование элементов интегральных схем (10 часов).
Требования к математическим моделям. Модели биполярного транзистора
Эберса-Молла и Гуммеля-Пина. Обобщенное выражение коэффициента пере
-
дачи тока. Модели биполярного транзистора для большого и малого сигналов. 
    «Высшая математика», «Информатика», «Технология полупроводниковых
приборов и ИМС», «Физика микроэлектронных приборов».
    Основные положения дисциплины должны быть использования при ди-
пломном проектировании.

    6.Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределения ча-
    сов по видам занятий

                               Количество часов занятий
   Название раздела             аудиторных                     Уровни *
                         лекци- практи- лабора-       самостоя изучения
                         онных ческих      торных     тельных

Введение                    2         –         –         –         А
Моделирование техно-       10         –        16         8         В
логических процессов
Моделирование полу-         6         4         6         10        В
проводниковых струк-
тур
Моделирование элемен-      10        10        12         12        В
тов интегральных схем
Моделирование ИМС           6         4         –         4          Г

    * А – для общей эрудиции;
    В - для использования непосредственно в профессиональной деятельности;
    Г - вновь рассматриваемый раздел.

     7. Лекции.
     7.1. Разделы и их содержание.
     Введение.
     7.1.1. Моделирование технологических процессов (10 часов).
     Модели процессов ионного легирования, модели диффузионных процес-
сов. Модели термического окисления. Моделирование граничных процессов.
Моделирование процессов эпитаксии. Моделирование процессов литографии.
Моделирование процессов с использованием поликремния.
     7.1.2. Моделирование полупроводниковых структур (6 часов).
     Назначение и проблемы численного моделирования полупроводниковых
структур. Основные уравнения полупроводника. Ограничения моделей. Воз-
можные подходы к моделированию. Особенности применения приближенных
структурно-физических моделей.
     7.1.3. Моделирование элементов интегральных схем (10 часов).
     Требования к математическим моделям. Модели биполярного транзистора
Эберса-Молла и Гуммеля-Пина. Обобщенное выражение коэффициента пере-
дачи тока. Модели биполярного транзистора для большого и малого сигналов.

Страницы