ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
10
Рис. 1.2.
В последнее время благодаря прогрессу полупроводниковой электроники и
развитию микросхемотехники наметилась тенденция внедрения в практику БМ
на транзисторах: появляются специальные микросхемы — балансные
модуляторы или аналоговые перемножители, однако качество их не всегда
соответствует требованиям, предъявляемым к ним в передатчиках [11].
Диодные модуляторы имеют коэффициент передачи для формируемого
сигнала
b=
20lg(
Ω
Ω
+ω
U
U
) < 1
, т. е. уменьшают уровень полезного сигнала:
например, затухание небалансного модулятора составляет 15...20 дБ,
простейшего балансного — около 10 дБ, кольцевого балансного — примерно
4 дБ. Ослабление прямого прохождения частот ω и Ω на выход БМ или КБМ
зависит от точности симметрирования модулятора, на практике оно достигает
30...35 дБ и обычно не бывает менее 20 дБ. Симметрирование осуществляется,
например, так, как показано в работе [3, с. 273].
Транзисторные БМ обладают некоторым усилением, что является одним из
их достоинств. Приводимые в справочнике [5] микросхемы БМ обладают
значительными нелинейными искажениями и чаще всего предназначены для
невысоких радиочастот.
Из-за ограниченности ассортимента БМ в микросхемном исполнении по-
прежнему широко используются диодные кольцевые БМ, изготавливаемые на
основе дискретных деталей. Однако вместо одиночных диодов здесь можно
успешно применять диодные сборки [11], имеющие меньший разброс парамет-
ров по сравнению с дискретными диодами даже одной партии. Для улучшения
температурной стабильности высококачественных БМ к каждому диоду
подключают резисторы с малой зависимостью сопротивления от температуры
(рис. 1.2.б): последовательный резистор R
1
стабилизирует прямое сопротив-
ление диода, т. е. сопротивление R
o
открытого диода, а параллельный
R
2
— обратное, т. е. сопротивление R
3
закрытого диода. Однако подключение
резисторов снижает нелинейные свойства диода, так как уменьшает
эквивалентное сопротивление в закрытом состоянии и увеличивает в открытом;
поэтому увлекаться этим приемом не следует, особенно в простейших пере-
датчиках низовой связи.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »