ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
71
ПРИЛОЖЕНИЕ Д. Параметры транзисторов
Параметры идеализированных статических
характеристик
Высокочастотные параметры
Тип
транзистор
а
r
нас
(
r
насВЧ
),
Ом
r
б
,
Ом
r
э
,
Ом
R
уэ
,
кОм
h
э021
f
T
, МГц
C
К
, пФ
(при
E
K
,В )
C
Э
, пФ
(при
E
K
,В )
τ
к
, пс
(при
E
K
, В)
L
Э
,
нГн
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2Т926А 0,15 — — >0,02 12…60 50 — — — —
2Т947А (0,03…0,1) — — >0,04 10…160 100
680
(27)
— — —
2Т9126А <0,05 — — — >10 >100
<500
(50)
100.000
(0)
— <1,5
Пульсация
2
— — — — 10…50 —
500
(60)
— — —
КТ902АМ
0,8
(1,4)
≈2 ≈0 >0,05 >15 35 150 1500 — 20
2Т965А 0,5 — — >0,4 10…60 100…300
50…100
(12,6)
100…350
(4)
— 2
2Т951Б (2,4) — 0,2 >0,1 90…420 90…420
60…70
(28)
600
(0)
— 2,8…3,8
2Т955А (2,4) — — >0,4 10…250 100…300
50…75
(28)
160…320
(4)
— 2,0
2Т966А 0,1 — — >0,027 10…70 100…300
150…250
(12,6)
800…2000
(4)
— 1,25
2Т950Б
0,1…0,2
(0,8)
— 0,15 >0,04 10…100 90…360
130…220
(28)
<1100
(0)
— 1,6…2,1
2Т912А
0,05
(0,5…0,6)
0,5 ≈0 >0,02 10…50 90…165
<200
(27)
1200
— 5
2Т967А ≈0,08 — — >0,03 10…100 180…240 200…500 700…2500 — 2,0
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 69
- 70
- 71
- 72
- 73
- …
- следующая ›
- последняя »