Устройства генерирования и формирования сигналов. Тамаров П.Г - 21 стр.

UptoLike

Составители: 

21
0
1
P
P
=
η
.
3.4.9. Угол дрейфа
Т
г
др
f2
f360
°
=
π
ϕ
.
3.4.10. Угол отсечки эмиттерного тока
θ
э
=
θ
0,5ּ
ϕ
др
,
находим
α
1
(
θ
э
),
cos
θ
э
.
3.4.11. Коэффициент усиления по току на рабочей частоте:
f
f
f
a
a
β
β
+
=
1
, где
β
ƒ
=
β
, при
β
T
f
f
β
β
T
f
f
=
, при ƒ >
β
T
f
.
3.4.12. Величина импульса эмиттерного тока
)(a
I
i
эf
mк
maxэ
θα
1
1
=
.
3.4.13. Амплитуда напряжения первой гармоники на базо-эмиттерном
переходе
mк
э
maxэ
mб
UD
)cos(S
i
U +
=
θ
1
.
3.4.14. Постоянная составляющая тока базы
бо к0
1a
II
a
=⋅
.
3.4.15. Коэффициент передачи напряжения возбуждения от внешних
выходных зажимов транзистора к базо-эмиттерному переходу:
эб
пер
2
Т
s
1a
g
r
К
f
1a
f
⋅⋅
=
⎛⎞
+⋅
⎜⎟
⎝⎠
,
где
a
a
Sg
ý
=
1
,
()
()( )
[]
ээbэ
э
э
cosrg
cos
a
θθα
θ
θα
=
11
1
1
1
,
g
э
и аучитывают работу транзистора в режиме большого сигнала.