Техническое предложение по проектированию волоконно-оптической линии передачи. - 6 стр.

  телекоммуникационных системах передачи. Допускается также использование
  пары длин волн 1550/1625 нм при осуществлении дистанционного
  мониторинга ВОЛС на длине волны 1625 нм.

Например. WDM фильтр производства фирмы DiCon.
Технические характеристики:
%"длина волны – 1310/1550 нм;
%"ближние переходные помехи - -60 дБ;
%"дальние переходные помехи - -40 дБ (по вых. порту 1); -20 дБ (вых. порт 2);
%"вносимые потери не больше 1.0 и 0.7 дБ (в вых. портах 1 и 2 соответственно);
%"обратные потери - -55 дБ;
%"стандартное ООВ фирмы Corning SMF-28.

$"
 Мультиплексоры второго поколения (узкозонные WDM фильтры)
 предназначены для мультиплексирования сигналов в многоканальных
 системах с расстоянием между каналами от минимального 1.6 нм (или 0.8 нм)
 до 70 нм. Основные технические характеристики, за исключением рабочих
 длин волн, схожи с предыдущим типом. Основные области применения
 волоконно-оптические системы с использованием оптических усилителей
 EDFA, полностью оптические сети.

   Волноводные спектральные мультиплексоры/демультиплексоры (МДП
DWDM и HDWDM) позволяют уплотнять/разуплотнять от 5 до 10 каналов связи
во всем оптическом диапазоне. Наибольшее распространение получили МДП,
выполненные на основе SiO2 / Si и на InP.
   Важное значение для использования МДП имеют потери в устройствах,
которые включают потери в прямолинейных волноводах, на изгибах, в звездных
соединителях, при стыковке планарных волноводов с канальными волноводами и
с волоконными световодами. Объединяя все потери, принято иметь в виду
потери на «кристалле», т.е. в волноводной схеме, и потери при передаче волокно-
волокно. В последнем случае включаются потери на стыковку входного ВС с
планарным волноводом звездного соединителя и потери при вводе излучения из
второго звездного соединителя в выходные ВС.
   МДП на основе SiO2 / Si обладают меньшими потерями на кристалл, в то
время как полупроводниковые пассивные оптические интегральные схемы (на
основе InP) могут быть непосредственно интегрированы с источниками
излучения, усилителями, фотодетекторами и др. При этом на одной подложке
могут быть объединены оптические и электронные компоненты.