ВУЗ:
Рубрика:
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ
«ТЕОРИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ»
Томск – 2005
I. Oрганизационно-методический раздел
1. Цель курса
Познакомить магистрантов с принципами моделирования точечных дефектов в полупро-
водниках. Спецкурс базируется на следующих курсах: физика твердого тела, физика полу-
проводников, теория групп, дефекты в полупроводниках.
2. Задачи учебного курса
Показать взаимосвязь структуры и свойств дефектов. Излагаются основные методы при-
меняемые для рачета
электронного энергетического спектра кристаллов с дефектами. Под-
робно обсуждается влияние симметрии и типа химической связи на структуру локального
спектра дефекта в полупроводниках. Особое внимание уделяется полупроводниковым кри-
сталлам с алмазоподобной структурой.
3. Требования к уровню освоения курса
После изучения курса студенты должны знать основные подходы к изучению локализо-
ванных состояний
связанных с дефектами. Понимать влияние дефектов на физические про-
цессы пртекающие в полупроводниках.
II. Содержание курса
1. Темы и краткое содержание
№ Тема Содержание
1. Введение
2. Геометрическая конфи-
гурация точечных де-
фектов
Симметрия дефектов и теория групп. Пример вакансии в ре-
шетке алмаза. Экспериментальное определение симметрии
дефекта.
3. Мелкие уровни Приближение эффективной массы в теории мелких уровней.
Донорно-акцепторные пары. Экспериментальное наблюдение
мелких уровней.
4. Глубокие уровни Моделирование глубоких уровней в полупроводниках. Метод
сильной связи: вакансия, примесь замещения, междоузельный
атом. Метод функций Грина. Значеия энергий глубоких
уровней некоторых алмазоподобных кристаллов
5.
Учет корреляционного
взаимодействия
Самосогласование, многоэлектронные эффекты и более слож-
ные теории глубоких уровней.
Примерная тематика рефератов, курсовых работ
III. Распределение часов курса по темам и видам работ
Аудиторные занятия (час)
в том числе
№
пп
Наименование
темы
Всего
часов
лекции семинары
лаборатор.
занятия
Самостоя-
тельная
работа
1 Введение 2 2
