Сенсоры измерительно-информационных систем. Часть 1. Тутов Е.А - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

14
Рис.2. а) Механизм химической сенсибилизации
поверхностно- допированных сенсоров (спилловер эффект);
b) механизм электронной сенсибилизации (сенсор в среде водорода );
c) механизм электронной сенсибилизации (сенсор в среде кислорода ).
2.2. Электронный механизм сенсибилизации допированных
сенсоров
Электронный механизм влияния допанта на чувствительность и
селективность полупроводниковых сенсоров проявляется через изменение
областей пространственного заряда , которые расположены под частицами -
допантами , при адсорбции газов на этих частицах (Рис.2).
Процессы , происходящие при тесном контакте металл-полупроводник,
хорошо изучены . При различных работах выхода контактирующих фаз
устанавливается такое распределение электронной плотности , что энергия
Ферми , первоначально различная в полупроводнике и металле, выравнивается.
Заряд, перешедший на металл, соответствует заряду в ОПЗ полупроводника и
противоположен ему по знаку. Величина заряда в ОПЗ зависит от
соотношений работ выхода электрона металлической частицы и
термодинамической работы выхода электрона полупроводника. Работа выхода
L
1
e
-
Me
H
H
H
H
2
Me
e
-
e
-
H
H
O
-
H
+
H O
2
2
H
L
1
L
2
Me
L
2
e
-
O
O
O
O
2
a
b
c

Страницы