Сенсоры измерительно-информационных систем. Часть 1. Тутов Е.А - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

18
R
R
C
1
2
2
10
20
40
10
20
30
Re(Z) (kOhm)
R
1
-
I
m
(
Z
)
[
k
O
h
m
]
0
F=
1
2 R C
2
2
R + R
1
2
E
c
E
F
E
v
eV
ОПЗ
Рис.3. Комплексная проводимость сенсорной структуры с межкристаллитными
барьерами под газами .
Межкристаллитные барьеры существуют как между полупроводниковыми
материалами различного типа проводимости , так и
между кристаллитами изотипных материалов. Газы , которые адсорбируются в
межкристаллитных областях, модулируют высоту этих барьеров.
Электроотрицательные газы , такие как O
2
, Cl
2
, F
2
, NO
X
и др ., повышают
высоту барьеров в полупроводниках n-типа и повышают реактивное
сопротивление образцов. Газы -восстановители, такие как H
2
, CO, NH
3
,
углеводороды и т . д., понижают величину барьеров.
На диаграммах Коул - Коула это выражается в изменении размеров
( радиусов) кривых, причем их полукруглая форма обычно сохраняется (рис.3).

Страницы