ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
22
Рис.4. Показатель поведения границы раздела S для контакта М - П в
зависимости от разности электроотрицательностей аниона и катиона
полупроводника и от теплоты образования полупроводников.
ZnO
ZnS
CdS
ZnSe
CdTe
CdSe
GaP
GaAs
InP
InSb
Ge
Si
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Разность электроотрицательностей
П
о
к
а
з
а
т
е
л
ь
п
о
в
е
д
е
н
и
я
г
р
а
н
и
ц
ы
р
а
з
д
е
л
а
S
Ковалентная Ионная
ZnO
ZnO
ZnS
ZnS
CdS
CdS
ZnSe
ZnSe
CdTe
CdTe
CdSe
CdSe
GaP
GaAs
GaAs
InP
InSb
InSb
Ge
Si
0 20 40 60 80 100
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Теплота образования H , ккал / моль
F
Менее стабильная Более стабильная
П
о
к
а
з
а
т
е
л
ь
п
о
в
е
д
е
н
и
я
г
р
а
н
и
ц
ы
р
а
з
д
е
л
а
S
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »
