ВУЗ:
Составители:
- 8 -
Разрез твердотельного планарного транзистора
Рис 1.2
С точки зрения быстродействия процессора можно выделить следующие
основные характеристики элементной базы:
а) Время фронта на вентиле. Логические значения «0» и «1» представ-
ляются двумя значениями напряжения, при переключении элемента из одного
состояния в другое напряжение не изменяется скачкообразно, а нарастает во
времени, приблизительно так, как это
показано на рис 1.3. Время фронта опре-
деляется такими параметрами твердотельного транзистора, как паразитные ем-
кости переходов и подвижность электронов.
Изменение напряжения на элементе во времени
Рис 1.3
Очевидно, что временной такт процессора, определяемый тактовой час-
тотой, должен для обеспечения устойчивой работы элемента в несколько раз
превышать время фронта.
t фронта
t
U
«
0
»
«1»
0,18 мкм
p
n
p
Защитный слой (SiO
2
)
Подложка
(чистый кремний)
-8- Разрез твердотельного планарного транзистора Защитный слой (SiO2) 0,18 мкм Подложка p (чистый кремний) n p Рис 1.2 С точки зрения быстродействия процессора можно выделить следующие основные характеристики элементной базы: а) Время фронта на вентиле. Логические значения «0» и «1» представ- ляются двумя значениями напряжения, при переключении элемента из одного состояния в другое напряжение не изменяется скачкообразно, а нарастает во времени, приблизительно так, как это показано на рис 1.3. Время фронта опре- деляется такими параметрами твердотельного транзистора, как паразитные ем- кости переходов и подвижность электронов. Изменение напряжения на элементе во времени U «1» «0» t t фронта Рис 1.3 Очевидно, что временной такт процессора, определяемый тактовой час- тотой, должен для обеспечения устойчивой работы элемента в несколько раз превышать время фронта.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »