Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 24 стр.

    6. Из спектральных характеристик фоторезистора и фотодиода определить
ширину запрещенной зоны исходных полупроводниковых материалов. Для
полупроводников с непрямой структурой энергетических зон, к которым
относится кремний, а также для полупроводников с прямой структурой
энергетических зон, таких как сернистый кадмий ( CdS ), длина волны,
соответствующая ширине запрещенной зоны, определяется как точка
пересечения с осью абсцисс прямой, экстраполирующей длинноволновый
крутопадающий участок спектральной характеристики. По полученным
значениям длин волн рассчитать ширину запрещенной зоны по формуле
∆E = 1240 λ , где ∆Ε –ширина запрещенной зоны в электроно – вольтах, λ –
длина волны в нанометрах. Сравнить полученные результаты со справочными
данными.

5.4 Содержание отчета
    5.4.1 Точное название и цель работы
    5.4.2 Справочные параметры полупроводниковых фотоэлементов и схемы
исследования характеристик.
    5.4.3 Таблицы проведенных измерений.
    5.4.4 Графики световых и спектральных зависимостей исследованных
фоторезистора и фотодиода.
    5.4.5 расчет по спектральным характеристикам ширины запрещенной зоны
полупроводниковых материалов исследованных приборов.
    5.4.6 Выводы по результатам измерений.

5.5 Контрольные вопросы
    5.5.1 Укажите основные характеристики и параметры фотоэлементов?
    5.5.2 Каковы физические основы работы фоторезисторов и фотодиодов?
    5.5.3 Как объяснить спектральную характеристику фоторезистора и
фотодиода?
    5.5.4 Какой из исследуемых фотоэлементов имеет наибольшую чувстви-
тельность? Какие экспериментальные данные об этом свидетельствуют?
    5.5.5 Какие причины вызывают возникновение темнового тока? Как его
можно обнаружить в эксперименте?
    5.5.6 Какой фотоэлемент обеспечивает наибольшую линейность световой
характеристики?
    5.5.7 Сравните     преимущества    и    недостатки   электронных   и
полупроводниковых фотоэлементов?
    5.5.8 Зачем прикладывают напряжения к фоторезистору и фотодиоду?
Накладываются ли ограничения на величину приложенного напряжения?
    5.5.9 Какой фотоэлемент допускает изменение полярности приложенного
напряжения?
    5.5.10 Какие режимы работы фотодиода возможны?
    5.5.11 На основе, каких материалов изготавливают фоторезисторы и
фотодиоды?
                                                                       24