Физические основы электроники. Усольцев В.К. - 12 стр.

рует, по переменному сигналу, резистор RЭ, исключая возникновения за счет RЭ
отрицательной обратной связи, которая могла бы уменьшить коэффициент уси-
ления каскада. Для получения аналитических зависимостей, описывающих ра-
боту каскада, транзистор заменяют линейной схемой замещения. Схема заме-
щения справедлива для области, в которой параметры схемы замещения изме-
няются не значительно. Преимуществом линейной схемы замещения является
возможность применения принципа наложения сигналов, что позволяет рас-
сматривать независимо постоянные и переменные составляющие сигналов.

      2.2.2. Начальный режим (режим по постоянному току).
      Для постоянного напряжения емкости являются бесконечно большими
сопротивлениями, то есть разрывами цепи. Схему замещения коллекторной це-
пи транзистора достаточно представить в виде источника тока, управляемого
базовым током, который зашунтирован внутренним коллекторным сопротивле-
нием rК. Далее внутренние сопротивления транзистора будем обозначать
строчными буквами. Эмиттерным сопротивлением и обратным коллекторным
током транзистора можно пренебречь в виду их малости, а в базовой цепи
учесть полное падение напряжения на переходе база- эмиттер UБЭ. Схема заме-
щения каскада для начального режима приведена на рис.2.3.

                                             Рис.2.3. схема замещения каскада
                                        для начального режима (режима по по-
                                        стоянному току)

                                                     Делитель из резисторов R1, R2 задает
                                             напряжение на базе транзистора, он дол-
                                             жен быть достаточно низкоомным, чтобы
                                             базовый ток транзистора мало сказывался
                                             на напряжении этого делителя. С другой
                                             стороны, делитель не должен сильно шун-
                                             тировать вход транзистора, то есть должен
быть достаточно высокоомным. Реально выбирается некоторый компромисс.
      Коэффициент деления γ и выходное сопротивление R1,2 делителя на ре-
зисторах соответственно равны
                    R2                RR
            γ=             , R1, 2 = 1 2 .                                      (2.1)
                  R1 + R2            R1 + R2
      Напряжение на эмиттерном сопротивлении, согласно схеме замещения
для режима покоя рис.2.3
            U Э = = γ ⋅ E П − U БЭ = − R1, 2 I Б = ,                            (2.2)
      где индексом = обозначена постоянная составляющая.


                                           12