Силовая электроника - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ДВФУ | Владивосток

Составители: 

Рубрика: 

7
создаваемое резистором R11, устраняет сквозные токи транзисторов VT3, VT4
при совместном управлении каналами ШИМ.
Рис.1 принципиальная схема реверсивного ШИМ
2.4. Импульсные выходные усилители.
Выходные усилители собраны по идентичным схемам и отличаются типом
проводимости транзисторов. Предварительные каскады выполнены на транзисто-
рах VT1
,
VT2
по схеме с общим эмиттером. Выходные каскады выполнены на
транзисторах VT3, VT4 также по схеме с общим эмиттером.
Диоды VD1, VD2 обеспечивают рекуперацию энергии, запасенной в индук-
тивности нагрузки L
Н
. Характер нагрузки может задаваться (коммутацией гнезд
Х
5
… Х
7
) активным, активно-индуктивным или активно– индуктивно- емкостным.
При совместном управлении каналами компараторы DA3 и DA4
имеют
практически одинаковые характеристики (возможно применение одного компара-
тора) и оба канала попеременно формируют знакопеременное выходное напряже-
ние (см. рис.2). 
                                     7

создаваемое резистором R11, устраняет сквозные токи транзисторов VT3, VT4
при совместном управлении каналами ШИМ.




                  Рис.1 принципиальная схема реверсивного ШИМ
      2.4. Импульсные выходные усилители.
      Выходные усилители собраны по идентичным схемам и отличаются типом
проводимости транзисторов. Предварительные каскады выполнены на транзисто-
рах VT1, VT2 по схеме с общим эмиттером. Выходные каскады выполнены на
транзисторах VT3, VT4 также по схеме с общим эмиттером.
      Диоды VD1, VD2 обеспечивают рекуперацию энергии, запасенной в индук-
тивности нагрузки LН. Характер нагрузки может задаваться (коммутацией гнезд
Х5… Х7) активным, активно-индуктивным или активно– индуктивно- емкостным.
      При совместном управлении каналами компараторы DA3 и DA4 имеют
практически одинаковые характеристики (возможно применение одного компара-
тора) и оба канала попеременно формируют знакопеременное выходное напряже-
ние (см. рис.2).

Страницы