Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

55
концентрации на границе уменьшается, что соответствует снижению
амплитуды переходного тока при
1
TT → .
Краевая задача для второй стадии процесса принимает вид
()() ()
,,)0 ,( ;0 ,0 ;
1
2
2
TXPXPTPPP
X
P
T
P
n
==−−
∂
∂
=
∂
∂
(3.10)
где
()
1
,TXP определяется из (3.9)
()
.
2
2
2
,
1
1
1
1
0
11
+−
−
−
+
+=
−
−−
T
T
X
erfce
T
T
X
erfce
j
jj
ePTXP
X
X
f
f
X
(3.11)
Краевая задача (3.10) для второй стадии продолжительностью
2
T
процесса переключения диода на обратное смещение генератором
напряжения отличается от задачи (3.8) для первой стадии граничным
условием
()
0,0 =TP . Это означает, что наряду с условием равенства
диффузионного тока значению, определяемому законом Ома, требуется
выполнение еще более сильного условия равенства нулю концентрации
НН на границе
p-n перехода. На этой стадии процесса переходной ток
спадает до нуля.
Длительность первой стадии
1
T
находится из (3.9) подстановкой
значения
()
0, =TXP в левую часть при X=0 и
1
TT =
в правую. В
результате
,
1
1
0
1
Bjj
j
Terf
f
f
+
=
+
=
(3.12)
где
ff
IIjjB
00
== – параметр, характеризующий режим
переключения;
0
I – обратный ток на первой стадии переключения,
определяемый по (3.7). Выражение (3.12) – классическое соотношение,
связывающее время жизни НН
p
τ с длительностью
1
t
первой стадии
(
″полочки″) переходного процесса (см. рис. 3.3) и режима переключения
f
II
0
. Зависимость длительности первой фазы от режима переключения
представлена на рис. 3.5. Из (3.12) и рис. 3.5 следует, что длительность
первой стадии определяется только временем жизни неосновных
носителей
p
τ
и режимом переключения
f
jj
0
.

Страницы