Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 79 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

79
расстояний в ней при значительных изменениях температуры
сопровождается изменением ширины запрещенной зоны и положения
примесных уровней.
4.2. Механизмы взаимодействия излучений с полупроводником
Переходные процессы в полупроводниках при воздействии
ионизирующих излучений обусловлены процессами генерации,
диффузионного переноса и рекомбинации носителей заряда. На первой
стадии переходного процесса электронная система стремится к новому
состоянию равновесия, определяемому равенством скоростей генерации и
рекомбинации неравновесных носителей заряда – электронов и дырок.
Такое состояние теоретически достигается при стационарных, т. е.
имеющих бесконечную длительность, воздействиях внешних факторов,
например, различных видов излучений. Импульсный характер воздействий
вызывает увеличение концентрации неравновесных носителей,
происходящее по определенным законам во времени и пространстве,
зависящим от временных и спектрально-энергетических характеристик
внешних факторов. В результате к моменту окончания импульса в
исследуемой области полупроводника устанавливается мгновенное
распределение неравновесных носителей по координатам. Ему
соответствуют мгновенные значения переходных токов и напряжений на
образце. Незавершенность первой стадии переходного процесса,
характерная для коротких по отношению к времени жизни неравновесных
носителей импульсных воздействий, означает преобладание скорости
процессов генерации над интенсивностью механизмов рекомбинации и
переноса для каждой точки пространства исследуемой области
полупроводника.
Прекращение действия внешнего фактора является началом второй
стадии переходного процесса – релаксации электронной системы
полупроводника к исходному состоянию равновесия, которое достигается
в результате рекомбинации и диффузии. Законы изменения концентрации
неравновесных носителей во времени и пространстве, соответствующие
изменению релаксационных токов и напряжений, определяются
распределениями концентраций неравновесных носителей к моменту
окончания первой стадии, электрофизическими характеристиками
полупроводника, параметрами (сопротивлением, напряжением смещения)
цепи замыкания переходного тока.
Важной особенностью релаксационных процессов является их
инвариантность по отношению к способу генерации неравновесных
носителей (инжекция, ионизация импульсами квантового или

Страницы