Техника высоких напряжений. Важнов В.Ф - 40 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

В. Ф. Важов, В. А. Лавринович, С. А. Лопаткин
40
как при этом возрастает ток утечки, что благоприятствует удлинению
частичных дуг до полного перекрытия изолятора.
Из приведенной картины развития разряда следует, что раз-
рядные напряжения изоляторов будут тем выше, чем меньше ток утеч-
ки:
У
У
R
U
I =
, (1.38)
где
I
У
— ток утечки по изолятору;
R
У
— сопротивление утечки по поверхности изолятора.
Если слой загрязнения имеет толщину
∆ с удельным объем-
ным сопротивлением
ρ, то для цилиндрического гладкого изолятора
диаметром
D:
D
L
R
У
У
⋅∆⋅
⋅
=
π
ρ
, (1.39)
где
L
У
— длина пути утечки.
Из (1.38) и (1.39) следует, что
У
У
L
DU
I
⋅
⋅∆⋅π
⋅
=
ρ
.
Следовательно, разрядное напряжение изолятора будет воз-
растать с увеличением длины пути утечки и уменьшением диаметра
изолятора:
Dπ
ρ
⋅∆⋅
⋅⋅
=
УУ
р.вл
LI
U
.
Так как процессы подсушки поверхности изолятора происхо-
дят относительно медленно, то при кратковременных перенапряжениях
они не успевают развиться и напряжение перекрытия бывает выше, чем
при длительном воздействии напряжения.
Влагоразрядное напряжение изолятора зависит от характери-
стик слоя загрязнения, его количества и состава, а также от интенсивно-
сти и вида увлажнения. Большое
разнообразие видов загрязнения,
встречающихся в условиях эксплуатации, не позволяет выбрать единст-
венное, "стандартное" загрязнение, которое можно было бы наносить на
поверхность изоляторов при определении влагоразрядных напряжений.
Наиболее правильно разрядные напряжения в реальных условиях за-
грязнения и увлажнения могут быть определены из опыта эксплуатации.

Страницы