ПЭВМ: работа и обслуживание. Методические указания к лабораторным работам. В 2 ч. Ч. 1. Варакин А.А. - 8 стр.

UptoLike

Составители: 

–– 8 ––
8
производительности происходит за счет оптимизации процесса ад-
ресации и чтения-записи ячеек памяти при сохранении тактовой
частоты работы запоминающей матрицы.
Рис. 1.2. Структурная схема системной платы GA-7VA на чипсете VIA
KT400A
Конструктивно DIMM-модули (Dual In-line Memory Module) испол-
няются в виде платы со 168 контактами (по 84 контакта с каждой сторо-
ны). Для их механической идентификации используется сдвиг положе-
ния двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди
контактных площадок. Основное назначение этих ключейне дать уста-
новить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания
микросхем памяти. Для модулей DDR SDRAM число контактов увеличе-
но до 184. На работу с такими модулями рассчитаны различные модифи-
кации процессоров Pentium 4 и Celeron, а также Athlon и Sempron. В мо-
дулях DDR2 SDRAM число контактов увеличено до 240.
Пропускная способность модулей памяти P
RAM
(Мбайт/c) опре-
деляется по формуле
(
)
8
SB
RAM
FN
P
=
,
(1.1)
где F
S
частота синхронизации, МГц;
N
B
ширина шины, бит.
                                –– 8 ––

производительности происходит за счет оптимизации процесса ад-
ресации и чтения-записи ячеек памяти при сохранении тактовой
частоты работы запоминающей матрицы.




 Рис. 1.2. Структурная схема системной платы GA-7VA на чипсете VIA
                               KT400A

      Конструктивно DIMM-модули (Dual In-line Memory Module) испол-
няются в виде платы со 168 контактами (по 84 контакта с каждой сторо-
ны). Для их механической идентификации используется сдвиг положе-
ния двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди
контактных площадок. Основное назначение этих ключей – не дать уста-
новить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания
микросхем памяти. Для модулей DDR SDRAM число контактов увеличе-
но до 184. На работу с такими модулями рассчитаны различные модифи-
кации процессоров Pentium 4 и Celeron, а также Athlon и Sempron. В мо-
дулях DDR2 SDRAM число контактов увеличено до 240.
      Пропускная способность модулей памяти PRAM (Мбайт/c) опре-
деляется по формуле

                         PRAM =
                                  ( FS ⋅ N B ) ,
                                                                 (1.1)
                                       8
где FS – частота синхронизации, МГц;
   NB – ширина шины, бит.


                                                                  8