ВУЗ:
Составители:
–– 8 ––
8
производительности происходит за счет оптимизации процесса ад-
ресации и чтения-записи ячеек памяти при сохранении тактовой
частоты работы запоминающей матрицы.
Рис. 1.2. Структурная схема системной платы GA-7VA на чипсете VIA
KT400A
Конструктивно DIMM-модули (Dual In-line Memory Module) испол-
няются в виде платы со 168 контактами (по 84 контакта с каждой сторо-
ны). Для их механической идентификации используется сдвиг положе-
ния двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди
контактных площадок. Основное назначение этих ключей – не дать уста-
новить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания
микросхем памяти. Для модулей DDR SDRAM число контактов увеличе-
но до 184. На работу с такими модулями рассчитаны различные модифи-
кации процессоров Pentium 4 и Celeron, а также Athlon и Sempron. В мо-
дулях DDR2 SDRAM число контактов увеличено до 240.
Пропускная способность модулей памяти P
RAM
(Мбайт/c) опре-
деляется по формуле
(
)
8
SB
RAM
FN
P
⋅
=
,
(1.1)
где F
S
– частота синхронизации, МГц;
N
B
– ширина шины, бит.
–– 8 –– производительности происходит за счет оптимизации процесса ад- ресации и чтения-записи ячеек памяти при сохранении тактовой частоты работы запоминающей матрицы. Рис. 1.2. Структурная схема системной платы GA-7VA на чипсете VIA KT400A Конструктивно DIMM-модули (Dual In-line Memory Module) испол- няются в виде платы со 168 контактами (по 84 контакта с каждой сторо- ны). Для их механической идентификации используется сдвиг положе- ния двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей – не дать уста- новить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Для модулей DDR SDRAM число контактов увеличе- но до 184. На работу с такими модулями рассчитаны различные модифи- кации процессоров Pentium 4 и Celeron, а также Athlon и Sempron. В мо- дулях DDR2 SDRAM число контактов увеличено до 240. Пропускная способность модулей памяти PRAM (Мбайт/c) опре- деляется по формуле PRAM = ( FS ⋅ N B ) , (1.1) 8 где FS – частота синхронизации, МГц; NB – ширина шины, бит. 8
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »