Составители:
Рубрика:
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+
⋅
= 1ln
до
I
I
g
Тк
U
ПР
ПР
,
где к – постоянная Больцмана; g – заряд электрона; I
ПР
– прямой ток через
p-n-переход.
Прямое падение напряжения U
ПР
как термочувствительный
параметр получило наиболее широкое распространение для измерения
температуры в диодах вследствие своих очевидных преимуществ перед
обратным током перехода. Во-первых, параметр U
ПР
при постоянном токе
через термочувствительный элемент зависит от температуры линейно для
всех существующих типов ППП, во-вторых, температурное приращение
параметра U
ПР
легко измеряется.
Методы отвода тепла
Выделяемое ППП тепло может быть отведено от поверхности
кристалла и передано за пределы аппаратуры несколькими способами. Из
них наиболее распространены следующие: естественный воздушный,
принудительный воздушный, принудительный жидкостный,
термоэлектрический и кондуктивный. Вопросы, связанные с улучшением
отвода тепла, изложены в [1].
Максимальная мощность, которую может рассеять транзистор
с
односторонним оребрением, определяется как
кс
cnp
R
ТT
Р
−
=
−
max
,
где Т
р-n
– максимально допустимая температура коллекторного перехода;
Т
с
– температура среды.
Тепловое сопротивление теплоотвода определяется по формуле
(
)
()
P
RRPTT
qR
ксПК
TC
cnp
+
−
−
⋅=
−
,
где Р – мощность, рассеиваемая транзистором; q – коэффициент,
учитывающий неравномерный характер распределения температуры по
теплоотводу (q≈0,9).
Расчет поверхности S радиатора можно провести по формуле
()
TTcкТ
к
РRttк
P
S
−−
≥
,
11
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
