Основы проектирования радиоэлектронных средств (РЭС). Винников В.В. - 16 стр.

UptoLike

Составители: 

3
4
3
blhR
э
π
=
,
где b длина; l ширина; h- высота экрана.
В свою очередь сомножители А, В, С можно найти по формулам:
6
)(
1;
2
exp;
=
==
λ
ππ
ρ
δ
m
C
m
d
BZА
HE
,
где
δ
- глубина проникновения; Z
E(H)
волновое сопротивление
электрического (магнитного) поля; d толщина, а
ρ
- удельное
сопротивление материала экрана; mнаибольший размер отверстия или
щели в экране, возникших из-за несовершенства его конструкции и
технологии изготовления.
Волновое сопротивление электрического и магнитного полей
вычисляют по формулам:
()
()
()
2
6
2
0
1
1
э
э
э
E
R
R
R
Z
Z
β
β
β
+
+
=
;
()
[]
()
()
6
2
2
0
1
1
э
э
эн
R
R
RZZ
β
β
β
+
+=
,
где
λ
π
β
2= , Z
0
=377 Ом. В предельном случае при
β
R
э
<<1, наиболее
характерным для ближней зоны,
эH
э
Е
RZZ
R
Z
Z
β
β
0
0
,
.
Глубина проникновения определяется по формуле
f
µ
ρ
µ
λρ
δ
52,003,0 ==
,
где
µ
- относительная магнитная проницаемость материала экрана, ƒ -
частота.
Для перфорированных экранов, когда размер
а (расстояние между
центрами отверстий и щелей) и диаметр отверстия D являются
параметрами перфорации, ЭЭ определяется выражением
=
a
Da
ЭЭЭ
)Н(оЕ
.
16