Основы проектирования радиоэлектронных средств (РЭС). Винников В.В. - 8 стр.

UptoLike

Составители: 

примененных радиаторов. Сравнить с величиной α
э
, полученной в первой
части.
IV. Содержание отчета
1. Цель и краткое содержание работы.
2. Таблицы полученных данных и градуировочные кривые.
3. Расчеты: К
з
, h
з
, температуры нагретой зоны, темпа охлаждения, α
э
радиаторов.
4. Тепловые характеристики прибора и его элементов.
5. Кривые охлаждения в обычном и полулогарифмическом масштабах.
6. Сравнительный анализ эффективности примененных радиаторов.
7. Краткие выводы по работе.
Литература: [1], с.116…121, 126…133, 166…172, 199…206, 230…235;
[2];[3], с.154…158.
РАБОТА 2. ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕПЛОЗАЩИТЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
I. Цель работы
Исследование тепловых режимов полупроводниковых приборов,
изучение методов и средств отвода тепла.
II. Основные
теоретические положения
Тепловой пробой в полупроводниковых приборах
Одной из причин, ограничивающих возможность использования
полупроводниковых приборов (ППП) в тяжелых условиях эксплуатации,
является их неустойчивость против тепловых воздействий. Как известно,
диапазон температур германиевых приборов ограничивается величиной
+85°С, а кремниевых - + (100…150)°С.
Тепловой режим ППП определяется совокупностью воздействия
температуры окружающей среды
и мощностью, рассеиваемой на p-n-
переходе. Если величина нагрева за счет температуры окружающей среды
может быть сведена к минимуму, то тепло, выделяемое за счет
8